氧化铬粉 又名铬绿粉化学式： Cr2O3晶 体：六方粒 度: 纳米级 微米级纯 度： ≥ 99.99%颜 色：绿色 氧化铬粉特点氧化铬绿，六方晶系或无定形深绿色粉末，有金属光泽。通常有两种色相：浅橄榄绿色和深橄榄绿色，有金属色泽。相对密度5.21，熔点：2266℃，沸点4000℃。有优良的耐热性，可耐温1000℃而不变色，耐酸、耐碱性也颇佳。产品纯度高，粒径小，分布均匀，结晶体极硬。极稳定，即使在红热下通入氢气亦无变化。溶于加热的溴酸钾溶液，微溶于酸类和碱类，几乎不溶于水、乙醇和丙酮。 氧化铬粉末的应用氧化铬绿主要应用于特种钢冶炼出钢口、滑板口及大型焚烧炉可用于陶瓷和搪瓷的着色，橡胶着色，配 更多 »

氧化铈抛光粉（VK-Ce01）抛光粉因具有切削能力强，抛光效率高，抛光精度高，抛光质量好，操作环境清洁，污染小，使用寿命长等优点，而在光学精密抛光和CMP等领域占有极其重要的地位。氧化铈的基本性质： 二氧化铈，又称氧化铈，为铈的氧化物，此时铈的化合价为+4价，化学式为CeO2。纯品为白色重质粉末或立方体结晶，不纯品为浅黄色甚至粉红色至红棕色粉末(因含有微量镧、镨等)。常温、常压下，二氧化铈是铈的稳定氧化物。铈还能形成+3价的Ce2O3，其不稳定，会和O2生成稳定的CeO2。氧化铈微溶于水、碱和酸。密度7.132 g/cm3，熔点2600℃，沸点3500℃ 。 氧化铈的抛光机制 更多 »

什么是PVD镀膜靶材?物理气相沉积(PVD)是一种薄膜制备技术,可在真空条件下将靶材的表面物理汽化为气态原子,分子或部分离子化为离子.然后,通过低压气体(或等离子体)将具有特定功能的膜沉积在基板的表面上.物理气相沉积的主要方法包括真空蒸发,溅射沉积,电弧等离子镀,离子镀等.PVD膜沉积速度快,附着力强,衍射性好,应用范围广. PVD镀膜靶材的基本原理物理气相沉积技术的基本原理可以分为三个处理步骤:(1)镀层材料的气化,即镀层材料蒸发,不类似溅射.(2)电镀原子,分子或离子的迁移:原子,分子或离子碰撞后发生各种反应.(3)电镀原子,分子或离子沉积在基板上. PVD镀膜靶材的优势1.耐久性好与其他 更多 »

1).靶材靶材是制作薄膜的材料，利用高速荷能粒子轰击的目标材料，通过不同的激光（离子光束）和不同的靶材相互作用得到不同的膜系，实现导电和阻挡的功能。 所以靶材又称为“溅射靶材”，他的工作原理就是利用离子源产生的离子，在真空中聚集并提速，用形成的高速离子束流来轰击靶材表面，发生动能交换，让靶材表面的原子沉积在基底。一块靶材由“靶坯”和“背板”组成，靶坯是由高纯金属制作而来，是高速离子束流轰击的目标； 背板通过焊接工艺和靶坯连接，起到固定靶坯的作用，并且背板需要具备导热导电性。 2).薄膜沉积薄膜沉积也是必不可少的环节，分为PVD（物理气相沉积）和CVD（化学气相沉积）。通俗来说就是分为物理沉积和 更多 »

锂电池常见的正极材料主要包括：钴酸锂（LCO）、锰酸锂（LMO）、磷酸铁锂（LFP）、三元材料（NCM/NCA）等。 什么是三元材料？三元（LiCoxMnyNi1-x-yO2），具有a-NaFeO2型层状结构（R-3m空间群），理论容量约为275 mAh/g。在三元材料中，Mn始终保持+4价，没有电化学活性，只是作为材料骨架起到稳定晶体结构的作用，Ni和Co为电化学活性，分别为+2价和+3价。随着Ni、Co、Mn组成比例变化，材料的容量、安全性能等诸多性能能够在一定程度上实现可调控，业内人士习惯于按照材料的比例命名，例如111/442/532（表示Ni、Mn、Co三种元素比例）等。受镍锂互占位 更多 »

半导体材料是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的电子材料。半导体材料是半导体产业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。 那么半导体材料具有哪些特点及应用呢？ 半导体材料的特点半导体材料是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的电子材料。常用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的，因此相应的有N型和P型之分。半导体材料通常具有一定的禁带宽度，其电特性易受外界条件(如光照、温度等)的影响。不同导电类型的材料是通过掺入特定杂质来制备的。杂质(特别是重金属快扩散杂质和深能级杂质)对材料性能的影响尤大。因此，半导体材料应具有很高的纯度，这就不仅要求用来生产半导体材料的原 更多 »

光学晶体（Optical Crystal），用于光学介质材料的晶体材料，广泛用于制作各类紫外、红外应用领域的窗口片、透镜、棱镜。按照晶体结构又分为单晶和多晶。单晶材料具有高的晶体完整性和光透过率，以及较低的输入损耗，因此常用的光学晶体以单晶为主。 光学单晶材料：A. 卤化物单晶：卤化物单晶分为氟化物单晶，溴、氯、碘的化合物单晶，铊的卤化物单晶。氟化物单晶在紫外、可见和红外波段光谱区均有较高的透过率、低折射率及低光反射系数;缺点是膨胀系数大、热导率小、抗冲击性能差。溴、氯、碘的化合物单晶能透过很宽的红外波段其熔点低，易于制成大尺寸单晶;缺点是易潮解、硬度低、力学性能差。铊的卤化物单晶也具有很宽的 更多 »

半导体材料经过几十年的发展，第一代硅材料半导体已经接近完美晶体，对于硅材料的研究也非常透彻。基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新，正在逐渐接近硅材料的极限，基于硅材料的器件性能提高的潜力愈来愈小。以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备优异的材料物理特性，为进一步提升电力电子器件的性能提供了更大的空间。 1、碳化硅是什么？　　SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。 2、碳化硅有什么用？　　以SiC为代表的第三代半 更多 »

溅射靶材是决定半导体良品率的最重要因素.所以半导体上的运用所需要的精密程度、纯度是最高的，溅射靶材的纯度和精密程度都会直接影响半导体性能，采用差的溅射靶材最直接的后果就是导致半导体短路，因此我们在谈半导体溅射靶材的时候，往往谈得是高纯溅射靶材。这些靶材就元素可以分为铝靶、钛靶、铜靶、钽靶、钨钛靶材等. 高纯度金属溅射靶材的溅射靶尺寸和形状可满足大多数流行沉积工具的要求圆盘靶，柱靶，阶梯式晶片靶，板靶（Dia <650mm，厚度> 1mm）矩形靶，切片靶，阶梯矩形靶（长度<1500mm，宽度<300mm，厚度> 1mm）管状靶/旋转溅射靶（外径<300mm，厚度> 2mm） 高纯度金属溅射靶材的 更多 »

化学式：Co晶体：球形 粒径: 50nm 1μm -300目 -200目等纳米级 亚微米级 微米级 纯度： ≥ 99.99% 颜色：黑色 灰色 钴粉的用途1. 高密度磁记录材料利用纳米钴粉记录密度高、矫顽力高（可达119.4KA/m）、信噪比高和抗氧化性好等优点，可大幅度改善磁带和大容量软硬磁盘的性能；2. 磁流体用铁、钴、镍及其合金粉末生产的磁流体性能优异，可广泛应用于密封减震、声音调节、光显示等；3. 吸波材料金属纳米粉体对电磁波有特殊的吸收作用。 铁、钴、氧化锌粉末及碳包金属粉末可作为军事用高性能毫米波隐形材料、可见光--红外线隐形材料和结构式隐形材料，以及手机辐射屏蔽材料；4.纳米钴 更多 »

氧化锌的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。此外，微颗粒的氧化锌作为一种纳米材料也开始在相关领域发挥作用。 氧化锌的用途氧化锌是一种常用的化学添加剂，广泛地应用于塑料、硅酸盐制品、合成橡胶、润滑油、油漆涂料、药膏、粘合剂、食品、电池、阻燃剂等产品的制作中。一、可作为天然橡胶、合成橡胶及胶乳的硫化活性剂、补强剂以及着色剂。纳米氧化锌由于颗粒细、比表面积大，更能增强硫化橡胶的物理性能。二、可作催化剂、脱硫剂。纳米氧化锌的表面高活性可以提高催化剂的选择性能和催化效率。三、可作为涂料的填料防腐剂和发光剂。纳米氧化锌优 更多 »

钽及钽合金具有高熔点、良好的耐蚀性能、优异的高温强度、良好的加工性能、可焊接性能、较低的塑/脆转变度及优异的动态力学性能等优点，使其广泛应用于电子、武器、化工、航空航天工业与空间核动力系统等行业 是在1600 ℃~1 800 ℃环境下工作的理想结构材料。虽然钽及钽合金拥有优异的高温力学性能 ，但是其高温下抗氧化性能较差 ，金属钼在500℃以上便会发生加速氧化生成Ta205 由于以上特性这使得钽及钽合金的应用受到严重制约。要想扩大其应用范围 提升钽及钽合金的耐高温抗氧化性能具有十分重要的意义。钽及钽合金的耐高温抗氧化保护主要有两种方法"∶①表面涂层耐高温抗氧化保护 ②合金化耐高温抗氧化保护。 合 更多 »

轻质氧化镁是用途非常广泛的一种产品，而且轻质氧化镁的生产过程是非常环保的，国内比较先进的生产轻质氧化镁的过程一般是这样的：1、轻质氧化镁是以氢氧化镁为主要原料放在传统的旋转煅烧窑炉之中进行煅烧而成；2、通过机械磨等方式进行破碎讲产品中的杂质去除后，可以降低酸不溶值，定向可生产需求目数的产品，再通过不同行业不同需求的客户，根据其具体指标，量身为其定制。 轻质氧化镁的选择的注意事项：1、轻质氧化镁的含量及主含量的纯度，纯度越高品质越好。2、轻质氧化镁的酸不溶，镁的本质是溶于酸的，酸不溶与纯度成反比。3、轻质氧化镁的水分，水分是一个产品的恒重值的表现。 更多 »

氮化镓（GaN）主要应用于生产功率器件，目前GaN器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。 在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。 氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。 根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非 更多 »

溅射靶材的养护不可忽视，因为靶材的清洁度对于溅射镀膜过程中形成的镀膜质量，以及产品质量合格与否有着至关重要的作用，清除那些在靶材上的残留物，可减少靶材表面结瘤，也能提高靶材利用率和生产效率，而且靶材清洁也与后期的养护密不可分. 溅射靶材维护为避免溅射过程中空腔不干净造成短路和起弧，需要分阶段清除沉积在溅射轨迹中间和两侧的堆积溅射材料。也有利于用户以最大功率密度连续溅射。 溅射靶材存储我们建议用户将溅射材料（无论是金属还是陶瓷）储存在真空包装中。尤其是贴合靶材必须在真空条件下保存，以免粘附层氧化，影响靶材贴合质量。对于金属靶材的包装，我们建议至少使用干净的塑料袋。 溅射靶清洁步骤 1，用浸有丙酮 更多 »