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研究和发展

每年，我们都投入大量的研发资金。公司始终把新产品、新技术的研发作为公司经营的重中之重。我们的研发工程师掌握了大量的技术和经验，我们为客户提供这些研发定制生产服务。

Ti3SiC2烧结靶材

Ti3SIC2是六边形晶体，由Ti C八面体连接的平面Si层组成，形成层状结构。
TI3SIC2如金属具有优异的导热体，易于加工，相对“软”，对热冲击不敏感，如陶瓷具有良好的抗氧化性，最重要的是在高温下保持高强度。 TI3SIC2集成了陶瓷和金属的特性，高弹性模量，高熔点和高温稳定性反映了类似陶瓷的性能;

特点：

密度：4.64g / cm2，
电阻：〜10Ω
无色差，无斑点。

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ZrS2粉末，99.9％，-100mesh

二硫化锆（ZrS2）具有层状结构，属于IV组转变金属二甲基甲基（TMDC）。 ZrS2热力学稳定，环保高灵敏度和低成本生产。 ZrS2单层具有明显的N型传输特性，移动性相对较高。
应用程序：

ZrS2是光电子的有希望的材料，因为其在室温下更大的载流子迁移率和比MOS2更高的电流密度，这对于低功率器件是期望的。对于大约1.7EV和直接带隙的间接带隙，直接带隙为Monolayer左右，ZRS2在热电，肖特基太阳能电池，光电探测器，FET和催化氢气产生中找到应用。
ZrS2 2D纳米材料具有高电子迁移率，即1200cm 2 / Vs，其比广泛研究的MOS2（340cm2 / Vs）大的三倍。基于ZRS2的FET器件具有更高的电子灵敏度和优异的半导体性能。计算表明，基于ZrS2的隧道型距离晶体管（TFET）可以具有高达800μA/μm（比MOS2高的100倍）的薄片电流密度，从而升高了低功率器件中的巨大应用势。

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IZO溅射靶材，99.9％

产品名称：氧化铟锌（IZO）溅射靶
公式：IZO（IN2O3 / ZNO，90/10 WT％）
纯度：99.9％
形状：矩形目标，定制
尺寸：249.6 * 125 * 6mm
IZO陶瓷靶标（纯度和密度为99.99％）包含90重量％。ZnO％的LN2O3和10重量％。直流（DC）磁控溅射系统用于膜沉积。没有/使用离子辅助沉积（IAD）技术，通过不同DC功率（例如50W，80W和100W）制备的这些膜的电，光学和结构性质是最佳的IZO沉积条件为柔性有机发光装置（OLED）应用开发。

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碳化铪粉

碳化铪粉末材料，分子式HfC，氯化钠型立方晶系，灰黑色粉末，熔点3890℃，理论密度12.7 g/cm3，导热系数为6.28【W(m·K)-1】(20℃)，体积电阻率1.95*10-4Ω·cm(2900℃)，热膨胀系数6.73*10-6/℃，电阻率为40~50/μΩ·cm，弹性模量35.9*103MPa，抗压强度1380MPa。非常适用于火箭喷嘴，可以用作再入空间火箭的鼻锥。用于陶瓷等行业。

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