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Ti3SiC2烧结目标

Ti3SIC2是六边形晶体,由通过Ti C八面体连接的平面Si层组成,形成层状结构。
TI3SIC2如金属具有优异的导热体,易于加工,相对“软”,对热冲击不敏感,如陶瓷具有良好的耐氧化性,最重要的是在高温下保持高强度。 Ti3SIC2整合陶瓷和金属的特性,高弹性模量,高熔点和高温稳定性反映了类似陶瓷的性质;
特点:
密度:4.64g / cm2,
电阻:〜10Ω
没有色差,没有斑点。

ZrS2粉末,99.9%,-100mesh

二硫化锆(Zrs2)具有层状结构,它属于IV组转变金属二巯基因(TMDC)。 ZRS2热力学稳定,环保高灵敏度和低成本生产。 ZRS2单层具有明显的n型传输特性,迁移率相对较高。

应用程序:
ZRS2是光电子的有希望的材料,因为其在室温下的载流子迁移率高,并且电流密度比MOS2更高,这对于低功率器件来说是期望的。对于大约1.7eV的间接带隙并且直接带隙为Monolayer左右2.0eV,ZRS2在热电,肖特基太阳能电池,光电探测器,FET和催化氢气产生中找到应用。
Zrs2 2D纳米材料具有高电子迁移率,即1200cm 2 / Vs,其比广泛研究的MOS2(340cm2 / vs)大的三倍。基于ZRS2的FET器件具有更高的电子灵敏度和优异的半导体性能。计算表明,基于ZrS2的隧道型距离晶体管(TFET)可以具有高达800μA/μm的薄片电流密度(比MOS2高100倍),从而升高了低功率器件中的巨大应用势的潜力。

IZO溅射目标,99.9%

产品名称:氧化铟锌(IZO)溅射靶
公式:IZO(IN2O3 / ZNO,90/10 WT%)
纯度:99.9%
形状:矩形目标,定制
尺寸:249.6 * 125 * 6mm

IZO陶瓷靶标(纯度和密度为99.99%)包含90重量%的LN2O3和10重量%。ZnO的%。直流(DC)磁控溅射系统用于膜沉积。没有/使用离子辅助沉积(IAD)技术,通过不同DC功率(例如50W,80W和100W)制备的这些膜的电,光学和结构性质是最佳的IZO沉积条件为柔性有机发光装置(OLED)应用开发。

碳化铪粉

碳化铪粉末材料,分子式HFC,氯化钠型立方体晶体系统,灰色粉末,熔点3890℃,理论密度12.7g / cm3,导热率为6.28【w(m·k)-1】(20 ℃),体积电阻率1.95 *10-4Ω·cm(2900℃),热膨胀系数6.73 * 10-6 /℃,电阻率为40〜50 /μΩ·cm,弹性模量35.9 * 103mpa,抗压强度1380mpa。非常适合火箭喷嘴,其可以用作重新进入空间火箭的鼻锥。用于陶瓷和其他行业。
一种制备银氧化锡复合涂层的磁控溅射方法
我们公司开发了一种磁控溅射方法,用于制备银氧化锡复合涂料。采用磁控溅射溅射技术,基于膜的梯度接口过渡区和沉积工艺参数控制和协调,使银氧化锡复合材料涂层可以在沉淀地下室的方法中实现,与固体涂层组合,并且可以在沉积涂层应力的过程中及时释放,确保涂层的连续生长。通过该方法制备银氧化锡涂料具有良好的接触电阻和表面粗糙度,纳米型氧化锡均匀地分布在银基质中,与传统方法相比,可以显着提高电弧熔化抗性和使用寿命。本发明方法具有较少的工作程序,高效率,绿色环境保护,设备的简单操作,良好工业应用前景。
具有催化性质的贵金属/氧化物复合膜及其制备方法
我公司成功开发了一种碱性金属/氧化物复合膜,具有催化性能及其制备方法,该方法采用磁控溅射技术制备了含贵金属的珍贵金属双变量或多变量伪合金体系,随后的退火处理,制备珍贵的贵金属金属/氧化物复合膜具有催化性能。本工艺环境友好,简单,无需使用有毒和有害的化学试剂,地下室没有特殊要求,催化性能通过两个步骤,复合膜膜粘附强,在氧化还原反应,化学电源,污染物降解,光电器件等领域具有良好的应用潜力和前景,对于催化膜的工业应用提供了通用技术的新思想。

薄膜涂料

无机粉末材料

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