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研究和发展

每年,我们都投入大量的研发资金。公司始终把新产品、新技术的研发作为公司经营的重中之重。我们的研发工程师掌握了大量的技术和经验,我们为客户提供这些研发定制生产服务。

Ti3SiC2烧结靶材

Ti3SIC2是六边形晶体,由Ti C八面体连接的平面Si层组成,形成层状结构。
TI3SIC2如金属具有优异的导热体,易于加工,相对“软”,对热冲击不敏感,如陶瓷具有良好的抗氧化性,最重要的是在高温下保持高强度。 TI3SIC2集成了陶瓷和金属的特性,高弹性模量,高熔点和高温稳定性反映了类似陶瓷的性能;
特点:
密度:4.64g / cm2,
电阻:〜10Ω
无色差,无斑点。

ZrS2粉末,99.9%,-100mesh

二硫化锆(ZrS2)具有层状结构,属于IV组转变金属二甲基甲基(TMDC)。 ZrS2热力学稳定,环保高灵敏度和低成本生产。 ZrS2单层具有明显的N型传输特性,移动性相对较高。
应用程序:
ZrS2是光电子的有希望的材料,因为其在室温下更大的载流子迁移率和比MOS2更高的电流密度,这对于低功率器件是期望的。对于大约1.7EV和直接带隙的间接带隙,直接带隙为Monolayer左右,ZRS2在热电,肖特基太阳能电池,光电探测器,FET和催化氢气产生中找到应用。
ZrS2 2D纳米材料具有高电子迁移率,即1200cm 2 / Vs,其比广泛研究的MOS2(340cm2 / Vs)大的三倍。基于ZRS2的FET器件具有更高的电子灵敏度和优异的半导体性能。计算表明,基于ZrS2的隧道型距离晶体管(TFET)可以具有高达800μA/μm(比MOS2高的100倍)的薄片电流密度,从而升高了低功率器件中的巨大应用势。

IZO溅射靶材,99.9%

产品名称:氧化铟锌(IZO)溅射靶
公式:IZO(IN2O3 / ZNO,90/10 WT%)
纯度:99.9%
形状:矩形目标,定制
尺寸:249.6 * 125 * 6mm
IZO陶瓷靶标(纯度和密度为99.99%)包含90重量%。ZnO%的LN2O3和10重量%。直流(DC)磁控溅射系统用于膜沉积。没有/使用离子辅助沉积(IAD)技术,通过不同DC功率(例如50W,80W和100W)制备的这些膜的电,光学和结构性质是最佳的IZO沉积条件为柔性有机发光装置(OLED)应用开发。

碳化铪粉

 
碳化铪粉末材料,分子式HfC,氯化钠型立方晶系,灰黑色粉末,熔点3890℃,理论密度12.7 g/cm3,导热系数为6.28【W(m·K)-1】(20℃),体积电阻率1.95*10-4Ω·cm(2900℃),热膨胀系数6.73*10-6/℃,电阻率为40~50/μΩ·cm,弹性模量35.9*103MPa,抗压强度1380MPa。非常适用于火箭喷嘴,可以用作再入空间火箭的鼻锥。用于陶瓷等行业。

研发领域

信息

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