溅射靶材分类？溅射靶材整个产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节，而这其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。溅射靶材按化学成分可分为：（1） 金属靶材（纯金属铝、钛、铜、钽等）（2） 合金靶材（镍铬合金、镍钴合金等）（3） 陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）最大的应用是各种集成电路、超大规模集成电路、半导体芯片领域！而这些领域都和近期提到的国产半导体芯片替代 、5G 通信行业息息相关！ 超大规模集成电路芯片 制造领域是溅射靶材最高端的应用，其对溅射靶材金属纯度的要求最高，通常要求达到 99.9995%（5N5）以上，平板显示器、太阳能 更多 »

开工啦！开工啦！祝大家在新的一年里愉快工作 开心生活新的一年我们将不忘初心，砥砺前行！ 更多 »

要满足3D打印对材料的要求，金属粉末需要满足什么条件呢？1、 纯净度陶瓷夹杂物会显著降低最终制件的性能，而且这些夹杂物一般具有较高的熔点，难以烧结成形，因此粉末中必须无陶瓷夹杂物。　　除此之外，氧、氮含量也需要严格控制。目前用于金属3D打印的粉末制备技术主要以雾化法为主，粉末具有大的比表面积，容易氧化，在航空航天等特殊应用领域，客户对此指标的要求更为严格，如高温合金粉末氧含量为0.006%-0.018%，钛合金粉末氧含量为0.007%-0.013%，不锈钢粉末氧含量为0.010%-0.025%。　　2、 粉末粒度分布不同3D打印设备及成形工艺对粉末粒度分布要求不同。目前金属3D打印常用的粉末粒 更多 »

LaB6 靶材,熔点2230℃,密度4.7g/cm3 ,电阻率15μΩ·cm, 维氏硬度 27.7 Gpa　　TiB2 靶材,熔点2980℃,密度4.5g/cm3,电阻率9~15μΩ·cm,维氏硬度 33.5 Gpa　　ZrB2靶材,熔点3040℃,密度6.1g/cm3,电阻率7~10μΩ·cm,维氏硬度 22.5 Gpa　　HfB2靶材,熔点3250℃,密度11.2g/cm3,电阻率10~12μΩ·cm,维氏硬度 29 Gpa　　NbB2靶材,熔点3000℃,密度7g/cm3,电阻率12~65μΩ·cm,维氏硬度26 Gpa　　TaB2靶材,熔点3100℃,密度12.6g/cm3,电阻率14 更多 »

通常对蒸发源应考虑蒸发源的材料和形状,一般对蒸发源材料的要求是:1. 熔点高因为蒸发材料的蒸发温度(平衡蒸汽压为1.3Pa的温度)多数在1000~2000℃之间,因此,蒸发源材料的熔点应高于此温度.2. 平衡蒸汽压低主要是防止或减少高温下蒸发源材料随蒸发材料蒸发而成为杂质,进入蒸镀膜层中.只有在蒸发源材料的平衡气压足够低时,才能保证在蒸发时具有最小的自蒸发量,才不致影响系统真空度和污染膜层,为了使蒸发源材料所蒸发的数量非常少,在选择蒸发温度、蒸发源材料时,应使材料的蒸发温度低于蒸发源材料,在平衡气压为1.3×10-6Pa时的制备高质量的薄膜可采用与1.3×10-3Pa所对应的温度. 3. 更多 »

什么是氮化硅陶瓷？氮化硅（Si3N4）是一种高熔点的陶瓷材料，具有极高的硬度和化学惰性。尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。氮化硅陶瓷热膨胀系数低、导热率高，故其耐热冲击性极佳。在不太高的温度下，氮化硅具有较高的强度和抗冲击性。但在1200℃以上使用会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低。 氮化硅化学式：氮化硅的分子量为140.28，化学式为Si3N4，加压下在1900℃时溶解。经高温烧结后颜色通常为灰色或黑色。 常见的氮化硅成型工艺：气压氮化硅陶瓷：气压烧结氮化硅陶瓷，这是生产高强度和复杂几何形状氮化硅部件的最流行方法。气压烧结方法使用已与烧结助剂混合的氮化硅粉末以促进液相烧结（ 更多 »

陶瓷靶材的种类及各自应用按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等. 半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;显示陶瓷靶材 ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO ,主要应用于电致发光薄膜发光层,电致发光薄膜绝缘层, 磁盘等;磁记录陶瓷靶材 Si3N4 ,主要应用于磁头,磁光盘(MO)保护;光记录陶瓷耙材 Si3N4, 主要应用于光盘保护 更多 »

纳米材料是指晶粒尺寸为纳米级(1 m)的超细材料，其尺寸介于分子、原子与块状材料之间，通常泛指1～100nm范围内的微小固体粉末。纳米材料是一种既不同于晶态也不同于非晶态的第三类固体材料，它是以组成纳米材料的结构单元——晶粒、非晶粒、分离的超微粒子等的尺度大小来定义的。目前，国际上将处于l～lOOnm尺度范围内的超微颗粒及其致密聚集体，以及由纳米微晶所构成的材料，统称为纳米材料，包括金属、非金属、有机、无机和生物等多种粉末材料。纳米材料的特性1) 表面效应纳米材料的表面效应是指纳米粒子的表面原子数与总原子数之比随粒径的变小而急剧增大后所引起的性质上的变化。球形颗粒的表面积与直径的平方成正比， 更多 »

二氧化钛 (TiO2) 是一种坚硬且耐化学腐蚀的白色钛氧化物。使用二氧化钛 (TiO2)溅射靶材可以获得高质量的二氧化钛薄膜，由于其镀膜有着多种特性，已被广泛用于各种应用中。二氧化钛薄膜应用 二氧化钛溅射靶材用于薄膜沉积，通常用于燃料电池、装饰、半导体、显示器、LED 和光伏器件、玻璃涂层等。★油漆和涂料 二氧化钛薄膜提供不透明性和耐用性，同时有助于确保油漆的使用寿命和油漆表面的保护。TiO2 薄膜具有高折射率，这使得生产低发射率和抗反射涂层对玻璃涂料行业具有吸引力。★塑料、粘合剂和橡胶 二氧化钛有助于最大程度地减少塑料和其他材料在光照下可能发生的脆性、褪色和开裂。★化妆品 颜 更多 »

稀土元素本身具有丰富的电子结构，表现出许多光、电、磁的特性。稀土纳米化后，表现出许多特性，如小尺寸效应、高比表面效应、量子效应、极强的光、电、磁性质、超导性、高化学活性等，能大大提高材料的性能和功能，开发出许多新材料。在光学材料、发光材料 、晶体材料、磁性材料、电池材料、电子陶瓷、工程陶瓷、催化剂等高科技领域，将发挥重要的作用。 目前开发研究和应用的领域1.稀土发光材料：稀土纳米荧光粉（彩电粉、灯粉），发光效率提高，将大大减少稀土用量。主要使用Y2O3、Eu2O3、Tb4O7、CeO2、Gd2O3。高清晰度彩色电视的候选新材料。2.纳米超导材料：使用Y2O3制备的YBCO超导体，特别薄膜材料， 更多 »

金属粉末制备方法按照制备工艺主要可分为：还原法、电解法、研磨法、雾化法等。目前国内常用的两种最先进制粉工艺是氩气雾化法和等离子旋转电极法。1、 氩气雾化法 1、氩气雾化法制粉是利用快速流动的氩气流冲击金属液体，将其破碎为细小颗粒，继而冷凝成为固体粉末的制粉方法。 1、 2、 等离子旋转电极法等离子态被称为物质的第四态，等离子旋转电极雾化（PREP法）制粉过程可简单描述为：将金属或合金制成自耗电极，自耗电极端部在同轴等离子体电弧加热源的作用下熔化形成液膜，液膜在旋转离心力的作用下被高速甩出形成液滴，熔融液滴与雾化室内惰性气体（氩气或氦气）摩擦，在切应力作用下进一步破碎，随后熔滴在表面张力的作用下 更多 »

磷酸铁锂电池，是一种使用磷酸铁锂（LiFePO4）作为正极材料，碳作为负极材料的锂离子电池，单体额定电压为3.2V，充电截止电压为3.6V~3.65V。磷酸铁锂电池材料生产主要有四个：分别是正极材料、负极材料、电解液和隔膜。1.在正极材料当中，最常用的材料有钴酸锂，锰酸锂，磷酸铁锂和三元材料（镍钴锰的聚合物）。正极材料占有较大比例（正负极材料的质量比为3:1~4：1），因为正极材料的性能直接影响着锂电池包的性能，其成本也直接决定电池成本高低。2.在负极材料当中，目前负极材料主要以天然石墨和人造石墨为主。负极材料作为磷酸铁锂电池包四大组成材料之一，在提高电池的容量以及循环性能方面起到了重要作用， 更多 »

材质分类⒈ 金属靶材镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。⒉陶瓷靶材ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、 更多 »

凭什么氧化镓被封为“新时代材料呢”？作为半导体材料，氧化镓比现有的硅（Si）、碳化镓、碳化硅材料更容易实现高电压，并且具有保持稳定的性能，所以是一种节省电力的好材料。这种特性让氧化镓多用于太阳能发电、风力发电、电动汽车等领域。作为新一代半导体器件，前景广阔。什么是MOSFECT?提到氧化镓，我们经常也会看到MOSFET这个单词。首先，MOSFECT是晶体管的一种，它是一种半导体器件。目前市面上出售的硅沟槽MOSFET一般只能在小于200V或者更低的电压下击穿。不过如果用了氧化镓材料的话，MOSFET可以承受2300V的极高电压！因此被成为超强半导体或者极端环境半导体。（可以耐受极高电压、高温、 更多 »

锰酸锂用：LMO替代，三元用NCM替代1、LMO没有贵金属，价格相对较低；而NCM受困于钴价高企，价格高（高镍材料能降BOM成本，但是工艺成本增加）。2、LMO电压平台高，~3.75~3.8V，NCM电压平台低，3.6~3.7V3、LMO尖晶石结构，安全性相对好一些；NCM层状结构，容易锂镍混排，安全性差（Ni%越高越差）4、最关键的克容量上，LMO较低，NCM较高。具体参考 @火尧 的回答5、LMO高温性能特别差，所以，工业用法都是LMO掺杂三元。典型的如LMO：NCM=7:3（低成本，电动自行车），5:5or3:7，物流车6、加上LFP后，整体成本：纯LMO＜LFP≤LMO混NCM＜NCM 更多 »