半导体芯片用高纯溅射靶材

溅射靶材是决定半导体良品率的最重要因素.所以半导体上的运用所需要的精密程度、纯度是最高的，溅射靶材的纯度和精密程度都会直接影响半导体性能，采用差的溅射靶材最直接的后果就是导致半导体短路，因此我们在谈半导体溅射靶材的时候，往往谈得是高纯溅射靶材。这些靶材就元素可以分为铝靶、钛靶、铜靶、钽靶、钨钛靶材等.

高纯度金属溅射靶材的溅射靶尺寸和形状可满足大多数流行沉积工具的要求圆盘靶，柱靶，阶梯式晶片靶，板靶（Dia <650mm，厚度> 1mm）矩形靶，切片靶，阶梯矩形靶（长度<1500mm，宽度<300mm，厚度> 1mm）管状靶/旋转溅射靶（外径<300mm，厚度> 2mm）

高纯度金属溅射靶材的纯度

99.9％（3N），99.95％（3N5），99.99％（4N），99.999％（5N），99.9995％（5N5），99.9999％（6N）

高纯溅射靶材作用原理

溅射靶材是硅晶圆片材料处理的关键工序，其主要是做了一件事，就是给半导体穿一层“衣服”，镀上一层薄膜。但是这层薄膜不是起保护作用，而是导电。因为硅晶圆片本身不导电，而芯片是需要通过导电，从而处理信息的，所以需要金属介质，这个金属介质的来源就是溅射靶材。用离子的发射器，通过很高的速度发射离子，然后溅射靶材作为这些离子的接收者，在遭到这些离子的撞击后自身的能量也很高，把表面的金属等离子体发射到硅晶圆片上，形成一层镀层。