光学镀膜，影响一面平面透镜的透光度有许多成因。镜面的粗糙度会造成入射光的漫射，降低镜片的透光率。此外材质的吸旋光性，也会造成某些入射光源的其中部分频率消散的特别严重。例如会吸收红色光的材质看起来就呈现绿色。不过这些加工不良的因素都可以尽可能地去除。 光学镀膜材料：二氧化锆，一氧化钛，五氧化三钛，二氧化硅，二氧化铪，二氧化钛，三氧化二钛，五氧化二钽，五氧化二铌，三氧化铝，氧化镁，氧化钇，氧化钐，氧化镨，氧化钨，氧化锑，氧化镍，三氧化二铁，氧化锡，二氧化铈，氧化钆，二氧化钕，氧化锌，氧化铋，氧化铬，氧化铜，氧化钒，氟化镱，氟化钇，氟化钐，氟化钕，氟化镁，氟化锶，氟化钾，氟化镧，氟化铒，氟化镝，氟化 更多 »

在镁合金的应用产品中，压力加工产品、铸造产品以及非结构应用呈三足鼎立之势，自镁实现工业化应用以来,镁在冶金工业(配制铝合金、钢脱硫、球墨铸铁等)中的应用占50%-65%,加工镁及镁合金半成品(板、带、管、棒、型材)材料的占比很小,仅为1%-1.6%，挤压材(管、棒、型材)占的比例更小，只有0.4%-0.8%。因此，每年须进行表面处理的挤压镁材量不多。挤压镁材的表面处理方法有氧化着色、阳极氧化、电镀等。 槽液配制与管理根据槽的容积计算所需的化工产品，加水至1/2容积，将化工产品一一加入槽中，对除油槽与氧化槽加热、开风机、搅拌,而对酸洗槽与光洗槽在室温下开风机、搅拌。搅均后加水至规定容积，再 更多 »

氮化硅粉体的基本特征氮化硅是一种硬度高、结构稳定、热膨胀系数小，抗氧化和抗侵蚀性能非常好的集优良热学和化学性能为一体的高级陶瓷材料。一诺材料生产的氮化硅陶瓷粉体纯度高，含氮量高、粒度分布窄、烧结活性高、化学成分稳定、耐分解、抗高温氧化，特别是高温强度大，硬度高、耐磨性好，抗热、力冲击性好，并有自润滑效果，其在复合材料中形成细微的弥散相，从而大大地提高了复合材料的综合性能。 n 机械强度高，硬度接近于刚玉，有自润滑性，耐磨。室温抗弯强度可以高达980MPa以上，能与合金钢相比，而且强度可以一直维持到1200℃不下降。n 热稳定性好，热膨胀系数小，有良好的导热性能，所以抗热震性很好，从室温到100 更多 »

砷化镓（GaAs）半导体材料与传统的硅材料相比，具有很高的电子迁移率（约为硅材料的5.7倍）以及宽禁带结构。同样条件下，它能更快地传导电流。我们可以利用砷化镓半导体材料制备微波器件，它在卫星数据传输、移动通信、GPS全球导航等领域具有关键性作用。砷化镓半导体材料的一个重要特性是它的光电特性。由于它具有直接带隙（通过吸收或放出光子能量，电子从价带直接跃迁到导带，从而有较高发光效率）以及宽禁带等结构，它的光发射效率比硅锗等半导体材料高。它不仅可以用来制作发光二极管、光探测器，还能用来制备半导体激光器，广泛应用于光通信等领域。此外，砷化镓半导体材料还具有耐高温、低功率等特性，在卫星通讯领域有着广泛应 更多 »

高纯金属溅射靶材主要应用在晶圆制造和先进封装过程,以芯片制造为例,我们可以看到从一个硅片变成一个芯片需要经历7大生产过程,分别是扩散(ThermalProcess),光刻(Photo-lithography),刻蚀(Etch)、离子注入(IonImplant),薄膜生长(DielectricDeposition)、化学机械抛光(CMP),金属化(Metalization),每个环节需要用到的设备,材料和工艺一一对应.溅射靶材就是被用在"金属化"的过程中,通过薄膜沉积设备使用高能的粒子轰击靶材然后在硅片上形成特定功能的金属层,例如导电层,阻挡层等. 溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新 更多 »

1. Sputter磁控溅镀原理Sputter在辞典中意思为：(植物)溅散。此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时，被溅射飞散出。因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜。在日光灯的插座附近常见的变黑现象，即为身边最赏见之例，此乃因日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成。溅 镀现象，自19世纪被发现以来，就不受欢迎，特别在放电管领域中尤当防止。近年来被引用于薄膜制作技术效效佳，将成为可用之物。 薄膜制作的应用研究，当初主要为Bell Lab.及Western Electric公司，于1963年制成全长10m左右的连续溅镀装置。1966年由IBM公司发表高周波溅镀技术，使得绝缘物之薄膜亦可制 更多 »

纯度：99.95%，99.96%，99.99%，形状：平面靶，管靶. 镍+ 7wt%钒(NiV7)是半导体领域最重要的薄膜溅射合金之一。它具有纯镍所需的化学、电学和光学特性，并具有非铁磁性的额外优势。由于其非铁磁特性，便于在高速率磁控溅射设备中使用。NiV7涂层的应用包括用于先进封装的电阻膜、扩散屏障和预润湿层，如倒装技术等。 我们生产的NiV溅射靶是高纯度的，它最重要的好处是你的薄膜具有优异的导电性，并且在PVD过程中最小的粒子形成。 镍钒溅射靶的应用镍钒溅射靶用于薄膜沉积、装饰、半导体、显示器、LED、光伏器件、功能涂层等，与其他光学信息存储空间行业、汽车玻璃、建筑玻璃、光通信等玻璃涂层 更多 »

什么是硫系玻璃纤维?硫系玻璃是由硫(S)、硒(Se)和碲(Te)等硫系元素混合而成。其他元素的加入，如砷、锗和锑，在硫素链之间建立交联，以促进稳定的玻璃形成。与硅玻璃相比，它具有中远红外透射、低声子能量、高折射率和非常大的非线性等很有前景的特性。硫系玻璃具有热稳定性、化学耐久性、机械弹性和易于纤维化。硫系玻璃纤维(1-12 μ m)的红外透射光谱范围比硅系玻璃纤维(UV-2 μ m)的红外透射光谱范围广得多。硫系玻璃纤维具有非常高的折射率和非常大的非线性(是二氧化硅纤维的1000倍)，允许发展超连续介质在中红外。硫系玻璃纤维是中红外应用的理想候选者，这些应用需要高功率激光传输、化学传感、热成像 更多 »

砷化镉是镉和砷的化合物。它是一种半导体，用于红外探测器、压力传感器、磁电阻和光电探测器。镉是一种过渡金属和化学元素，符号为Cd，原子序数为48。它在地壳中自然存在，但很少单独存在。砷是一种化学元素，符号为As，原子序数为33。它是一种有毒的类金属，有许多同素异形体:黄色(分子非金属)和几种黑色和灰色的形体。 砷化镉的应用砷化镉是一种半导体，用于红外探测器、压力传感器、磁电阻和光电探测器。 砷化镉的毒学信息长期接触镉烟雾会导致化学性肺炎、肺水肿以及支气管炎和肺气肿等肺部疾病。镉也会在肾脏中积累，造成永久性损害。骨质疏松也会发生。砷中毒可导致多系统器官衰竭死亡，可能是坏死细胞死亡，而不是细胞凋亡。 更多 »

硒化锌(ZnSe)是一种常用的红外材料。非常宽的透射光谱，覆盖范围从0.6 μm到22 μm和CVD(化学气相沉积)获得的高质量材料，使其适用于红外应用(热成像，FLIR，医疗系统，高功率红外激光器)的光学元件(窗口，镜头，镜子)的生产。硒化锌由锌蒸气和H2Se气体合成，在石墨电极上形成片状。硒化锌是微晶结构，晶粒尺寸被控制以产生最大的强度。单晶ZnSe是可用的，但不常见，但已报道具有较低的吸收，因此更有效的CO2光学。这种化学气相沉积材料具有吸收系数低、抗热冲击能力强等优点，在高功率CO2激光系统中有着广泛的应用。 硒化锌使用条件硒化锌在300℃氧化显著，在500℃左右发生塑性变形，在700 更多 »

磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功地应用于许多方面，特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。1852年Grove首次描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层,才真正得以普及和广泛的应用。磁控溅射技术出现和发展,以及80年代用于制作CD的反射层之后,磁控溅射技术应用的领域得到极大地扩展,逐步成为制造许多产品的一种常用手段,并在近十几年,发展出一系列新的溅射技术。 磁控 更多 »

近年来高分子基材的功能薄膜产品在各领域的应用越来越普及，尤其是具有光学功能的薄膜的应用越来越广泛。高分子薄膜（如PET、PC、PMMA、PVC、TAC等）具有优秀的光学性能和物理机械性能，通过实施附加的功能涂层如表面硬化涂层或一些特殊的功能涂层，使得这些高分子薄膜材料的功能性得到完善，应用价值上升。 据涂布在线了解，辐射固化技术是当前发展速度较快的一项工业技术，该技术自20世纪80年代进入快速发展期以来，至今的30多年时间里一直保持着快速的发展。辐射固化技术在薄膜加工方面的应用，促进了功能性薄膜的发展，近年来一些高技术领域如纳米材料、涂料技术的快速发展也使得功能性薄膜的质量越来越高，品种越来越 更多 »

砷化镓(GaAs)是由镓和砷元素组成的化合物。它通常被称为III-V化合物，因为镓和砷分别位于元素周期表的III族和V族。 砷化镓的使用并不是一项新技术。事实上，DARPA从20世纪70年代就开始资助这项技术的研究。虽然以硅为基础的技术一直是“微电子革命的骨干物质，但砷化镓电路在更高的频率和信号放大功率下工作，使一个由手掌大小的手机连接的世界成为现实。”20世纪80年代，砷化镓导致GPS接收机小型化。这使得在那个时期进入美国军火库的激光制导精确弹药成为可能。 比较GaAs、Si、SiC和GaN的带隙由于具有高电子迁移率，用砷化镓制造的半导体器件可以在数百GHz的频率下工作。虽然不被认为是真正的 更多 »

二硒化钼(MoSe2)是钼和硒的无机化合物。其结构与MoS2相似。这类化合物被称为过渡金属二卤属化合物，缩写为TMDCs。顾名思义，这些化合物是由过渡金属和元素周期表上的第16族元素组成的。与MoS2相比，MoSe2具有更高的导电性。 二硒化钼的结构MoSe2的层状结构加上Se的尺寸和导电性为电化学储能系统(如锂离子和钠离子电池)中容纳反离子提供了良好的机会。边缘处的不饱和硒原子以及缺陷点或基底面改变处的不饱和硒原子对析氢反应(HER)和类似的电催化反应(如锂氧电池)具有较好的电催化活性。此外，MoSe2的带隙可调使其成为光催化和光电化学太阳能电池的候选材料。 二硒化钼的应用硫钼系太阳能电池薄 更多 »

铜铟镓(二)硒化物(CIGS)是一种由铜、铟、镓和硒组成的I-III-VI2半导体材料。该材料是铜硒化铟(通常缩写为CIS)和铜硒化镓的固溶体。它的化学式为CuIn(1-x)Ga(x)Se2，其中x的值可以从0(纯铜硒化铟)到1(纯铜硒化镓)。CIGS是一种四面体键合半导体，具有黄铜矿晶体结构，带隙随x的变化而不断变化，从1.0 eV(硒化铜铟)到1.7 eV(硒化铜镓)。 铜铟镓硒化太阳能电池以铜铟镓硒(CIGS)为基材的太阳能电池在太阳能发电领域受到世界各国的广泛关注。它们是高效的薄膜太阳能电池，效率达到22.8%，可与晶硅(c-Si)晶片太阳能电池相媲美。对于1000 MW y−1的产能 更多 »