磁控溅射镀膜

磁控溅射镀膜的历史 

磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功地应用于许多方面，特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。1852年Grove首次描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层,才真正得以普及和广泛的应用。磁控溅射技术出现和发展,以及80年代用于制作CD的反射层之后,磁控溅射技术应用的领域得到极大地扩展,逐步成为制造许多产品的一种常用手段,并在近十几年,发展出一系列新的溅射技术。 

磁控溅射镀膜的原理 

电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶原子，靶原子沉积在基片表面形成膜。二次电子受到磁场影响，被束缚在靶面的等离子体区域，二次电子在磁场作用下绕靶面做圆周运动，在运动过程中不断和氩原子发生撞击，电离出大量氩离子轰击靶材。

磁控溅射的靶材

靶材的材质主要有金属靶材，金属氧化物靶材等。依据目标靶座的形状和大小进行加工。

磁控溅射优缺点 

优点：工艺重复性好，薄膜纯度高，膜厚均匀，附着力好。 

缺点：设备结构复杂，溅射靶材一旦穿透就会导致整块靶材的报废，所以靶材的利用率低。