特征
砷化镓 (GaAs) 是镓和砷元素的化合物。它是一种具有闪锌矿晶体结构的 III-V 族直接带隙半导体。
化学式:GaAs
摩尔质量:144.645 g/mol
外观:灰色结晶
气味:湿润后有大蒜味
密度:5.3176 g/cm3
熔点:1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)
水中溶解度:不溶
溶解性:溶于盐酸
不溶于乙醇、甲醇、丙酮
带隙:1.441 eV (at 300 K)
电子迁移率:9000 cm2/(V·s) (at 300 K)
磁化率(χ):-16.2×10−6 cgs
导热系数:0.56 W/(cm·K) (at 300 K)
折射率(nD):3.3
晶体结构:闪锌矿
应用
半导体(晶体管、激光器、太阳能电池)砷化镓用于半导体应用。还用于制造微波频率集成电路、耿氏二极管、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管和光学窗口等器件。此外,它还用于单晶薄膜太阳能电池和多结太阳能电池。此外,它还用于检测 X 射线。
特征
砷化镓 (GaAs) 是镓和砷元素的化合物。它是一种具有闪锌矿晶体结构的 III-V 族直接带隙半导体。
化学式:GaAs
摩尔质量:144.645 g/mol
外观:灰色结晶
气味:湿润后有大蒜味
密度:5.3176 g/cm3
熔点:1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)
水中溶解度:不溶
溶解性:溶于盐酸
不溶于乙醇、甲醇、丙酮
带隙:1.441 eV (at 300 K)
电子迁移率:9000 cm2/(V·s) (at 300 K)
磁化率(χ):-16.2×10−6 cgs
导热系数:0.56 W/(cm·K) (at 300 K)
折射率(nD):3.3
晶体结构:闪锌矿
应用
半导体(晶体管、激光器、太阳能电池)砷化镓用于半导体应用。还用于制造微波频率集成电路、耿氏二极管、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管和光学窗口等器件。此外,它还用于单晶薄膜太阳能电池和多结太阳能电池。此外,它还用于检测 X 射线。