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产品明细

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磷化铟 (InP)-粉末

  • 22398-80-7
  • InP
  • 491500PD.
  • 99.9999%
  • - 100目
  • 244-959-5
状态:

特征


磷化铟(InP)是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面向中心的立方(\“Zincblende”)晶体结构,与GaAs和大部分III-V半导体相同。


化学配方:INP

摩尔质量:145.792克/摩尔

外观:黑色立方晶体

密度:4.81克/厘米3, 坚硬的

熔点:1,062°C(1,944°F; 1,335 k)

溶解度:微溶于酸[1]

带隙:1.344eV(300 k;直接)

电子迁移率:5400 cm2 /(v·s)(300 k)

导热率:0.68W /(CM·K)(300 k)

折射率(ND):3.1(红外);

3.55(632.8 nm)

晶体结构:锌融合


应用


在高功率和高频电子器件中使用INP,因为其相对于更常见的半导体硅和砷化镓等优异的电子速度。


它与铟镓砷化镓一起使用,以制造可以在604GHz的604 GHz上运行的假晶杂交双极晶体管。


它还具有直接的带隙,使其适用于激光二极管等光电子设备。


INP还用作外延铟镓基基的光电电子器件的基板。



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