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特征
锑化镓 (GaSb) 是 III-V 族镓和锑的半导体化合物。它的晶格常数约为 0.61 nm。
化学式：GaSb
摩尔质量： 191.483 g/mol
密度：5.614 g/cm3
熔点：712 °C (1,314 °F; 985 K)
水中溶解度：不溶
带隙：0.726 eV (300 K)
电子迁移率：3000 cm2/(V*s) (300 K)
导热系数：0.32 W/(cm*K) (300 K)
折射率（nD）：3.8
晶体结构：闪锌矿，cF8
应用
GaSb 可用于红外探测器、红外 LED 和激光器和晶体管，以及热光伏系统。
特征
锑化镓 (GaSb) 是 III-V 族镓和锑的半导体化合物。它的晶格常数约为 0.61 nm。
化学式：GaSb
摩尔质量： 191.483 g/mol
密度：5.614 g/cm3
熔点：712 °C (1,314 °F; 985 K)
水中溶解度：不溶
带隙：0.726 eV (300 K)
电子迁移率：3000 cm2/(V*s) (300 K)
导热系数：0.32 W/(cm*K) (300 K)
折射率（nD）：3.8
晶体结构：闪锌矿，cF8
应用
GaSb 可用于红外探测器、红外 LED 和激光器和晶体管，以及热光伏系统。
