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产品明细

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砷化镓 (GaAs) 溅射靶材

  • 1303-00-0
  • GaAs
  • 313300ST
  • 99.999%
  • 2 英寸直径 x 0.125 英寸等
  • 215-114-8
状态:

特征


砷化镓 (GaAs) 是镓和砷元素的化合物。它是一种具有闪锌矿晶体结构的 III-V 族直接带隙半导体。


化学式:GaAs

摩尔质量:144.645 g/mol

外观:灰色结晶

气味:湿润后有大蒜味

密度:5.3176 g/cm3

熔点:1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)

水中溶解度:不溶

溶解性:溶于盐酸

不溶于乙醇、甲醇、丙酮

带隙:1.441 eV (at 300 K)

电子迁移率:9000 cm2/(V·s) (at 300 K)

磁化率(χ):-16.2×10−6CGs

导热系数:0.56 W/(cm·K) (at 300 K)

折射率(nD):3.3

晶体结构:闪锌矿


应用


砷化镓用于制造微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管、太阳能电池和光学窗口等器件。


GaAs 常被用作外延生长其他 III-V 族半导体的衬底材料,包括砷化铟镓、砷化铝镓等。


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