磷化镓 (GaP)-溅射靶材

特征

磷化镓 (GaP) 是镓的磷化物，是一种化合物半导体材料，在室温下的间接带隙为 2.24 eV。不纯的多晶材料外观呈淡橙色或灰色片状。未掺杂的单晶是橙色的，但由于自由载流子吸收，强掺杂的晶片看起来更暗。它无味且不溶于水。

化学式：GaP

摩尔质量：100.697 g/mol

外观：淡橙色固体

气味：无味

密度：4.138 g/cm³

熔点：1,457 °C (2,655 °F; 1,730 K)

水中溶解度：不溶

带隙：2.24 eV（间接，300 K）

电子迁移率：300 cm2/(V·s) (300 K)

磁化率（χ）：-13.8×10⁻⁶CGs

导热系数：0.752 W/(cm·K) (300 K)

折射率 (nD)：2.964 (10 µm), 3.209 (775 nm), 3.590 (500 nm), 5.05 (354 nm)

晶体结构：闪锌矿

应用

硫或碲用作掺杂剂来生产 n 型半导体。锌用作 p 型半导体的掺杂剂。