磷化铟 (InP)-晶圆

特征

磷化铟（InP）是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面向中心的立方（\“Zincblende”）晶体结构，与GaAs和大部分III-V半导体相同。

化学配方：INP

摩尔质量：145.792克/摩尔

外观：黑色立方晶体

密度：4.81克/厘米³， 坚硬的

熔点：1,062°C（1,944°F; 1,335 k）

溶解度：微溶于酸[1]

带隙：1.344eV（300 k;直接）

电子迁移率：5400 cm2 /（v·s）（300 k）

导热率：0.68W /（CM·K）（300 k）

折射率（ND）：3.1（红外）;

3.55（632.8 nm）

晶体结构：锌融合

应用

在高功率和高频电子器件中使用INP，因为其相对于更常见的半导体硅和砷化镓等优异的电子速度。

它与铟镓砷化镓一起使用，以制造可以在604GHz的604 GHz上运行的假晶杂交双极晶体管。

它还具有直接的带隙，使其适用于激光二极管等光电子设备。

INP还用作外延铟镓基基的光电电子器件的基板。