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产品明细

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锑化镓 (GaSb)-溅射靶

  • 12064-03-8
  • GaSb
  • 315100ST
  • 99.99%-99.999%
  • 2 英寸直径 x 0.125 英寸等
  • 235-058-8
状态:

特征


锑化镓 (GaSb) 是 III-V 族镓和锑的半导体化合物。它的晶格常数约为 0.61 nm。


化学式:GaSb

摩尔质量: 191.483 g/mol

密度:5.614 g/cm3

熔点:712 °C (1,314 °F; 985 K)

水中溶解度:不溶

带隙:0.726 eV (300 K)

电子迁移率:3000 cm2/(V*s) (300 K)

导热系数:0.32 W/(cm*K) (300 K)

折射率(nD):3.8

晶体结构:闪锌矿,cF8


应用


GaSb 可用于红外探测器、红外 LED 和激光器和晶体管,以及热光伏系统。



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