真空溅射镀膜十大工艺特点

溅射靶材是真空镀膜的关键材料。

溅射镀膜是指待镀材料源（称为靶）和基体一起放入真空室中，然后利用正离子轰击作为阴极的靶，使靶材中的原子、分子逸出并在基体表面上凝聚成膜。

溅射镀膜工艺的，十大工艺特点

1、可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质，尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜;

2、在适当条件下多元靶材共溅射方式，可沉积所需组分的混合物、化合物薄膜;

3、在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体，可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜；

4、控制真空室中的气压、溅射功率，基本上可获得稳定的沉积速率，通过精确地控制溅射镀膜时间，容易获得均匀的高精度的膜厚，且重复性好；

5、对于大面积镀膜，溅射沉积绝对优于其它镀膜工艺；

6、在真空容器内，溅射粒子不受重力影响，靶材和基板的位置可以自由对齐；

7、溅射粒子几乎不受重力影响，靶材与基片位置可自由安排:基片与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高能量，在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜，同时高能量使基片只要较低的温度即可得到结晶膜;

8、薄膜形成初期成核密度高，10nm以下的极薄连续膜；

9、溅射靶材使用寿命长，可长期连续生产；

10、溅射靶材可制成各种形状。通过靶材形状的特殊设计，可以更好地控制溅射过程，最有效地提高溅射效率。

以上是磁控溅射的十大工艺特点， 但是磁控溅射也存在一些需要进一步改善的问题。其中一个主要的问题是靶材的利用率有待提高。实际应用中，圆形的平面阴极靶，靶材的利用率通常小于30%。通过磁场的优化设计可提高靶材的利用率。另外,旋转靶材的利用率较高，可达到70%-80%以上。