特性
氮化钽(TaN)是一种化学物质,钽的氮化物。从化学计量上讲,Ta有多个相Ta2N到Ta3N5包括TaN。
化学式:TaN
摩尔质量:194.955 g / mol
外观:黑色结晶
密度:14.3 g / cm3
熔点:3,090°C(5,590°F; 3,360 K)
水中溶解度:不溶
晶体结构:六边形,hP6
应用
它有时用于集成电路制造中,以在铜或其他导电金属之间形成扩散阻挡层或“胶”层。在进行BEOL处理(约20 nm)的情况下,首先用钽涂覆铜,然后使用物理气相沉积(PVD)涂覆TaN。然后,在进行机械加工之前,通过PVD将这种涂覆有阻挡层的铜涂覆更多的铜,并填充电解涂覆的铜。
它也可用于薄膜电阻器。与镍铬合金电阻器相比,它具有形成耐潮的钝化氧化膜的优势。
特性
氮化钽(TaN)是一种化学物质,钽的氮化物。从化学计量上讲,Ta有多个相Ta2N到Ta3N5包括TaN。
化学式:TaN
摩尔质量:194.955 g / mol
外观:黑色结晶
密度:14.3 g / cm3
熔点:3,090°C(5,590°F; 3,360 K)
水中溶解度:不溶
晶体结构:六边形,hP6
应用
它有时用于集成电路制造中,以在铜或其他导电金属之间形成扩散阻挡层或“胶”层。在进行BEOL处理(约20 nm)的情况下,首先用钽涂覆铜,然后使用物理气相沉积(PVD)涂覆TaN。然后,在进行机械加工之前,通过PVD将这种涂覆有阻挡层的铜涂覆更多的铜,并填充电解涂覆的铜。
它也可用于薄膜电阻器。与镍铬合金电阻器相比,它具有形成耐潮的钝化氧化膜的优势。