特征
氮化钽 (TaN) 是一种化合物,是钽的氮化物。有多个相的化合物,从 Ta 化学计量2N 到 Ta3N5包括TaN。
化学式:TaN
摩尔质量:194.955 g/mol
外观:黑色结晶
密度:14.3 g/cm3
熔点:3,090 °C (5,590 °F; 3,360 K)
水中溶解度:不溶
晶体结构:六角形,hP6
应用
它有时用于集成电路制造以在铜或其他导电金属之间创建扩散屏障或“胶水”层。在 BEOL 处理(约 20 nm)的情况下,铜首先涂有钽,然后使用物理气相沉积 (PVD) 涂上 TaN;然后在进行机械加工之前,该阻隔涂层铜通过 PVD 涂覆更多铜,并填充电解涂层铜。
它还应用于薄膜电阻器。与镍铬合金电阻器相比,它具有形成抗湿性钝化氧化膜的优点。
特征
氮化钽 (TaN) 是一种化合物,是钽的氮化物。有多个相的化合物,从 Ta 化学计量2N 到 Ta3N5包括TaN。
化学式:TaN
摩尔质量:194.955 g/mol
外观:黑色结晶
密度:14.3 g/cm3
熔点:3,090 °C (5,590 °F; 3,360 K)
水中溶解度:不溶
晶体结构:六角形,hP6
应用
它有时用于集成电路制造以在铜或其他导电金属之间创建扩散屏障或“胶水”层。在 BEOL 处理(约 20 nm)的情况下,铜首先涂有钽,然后使用物理气相沉积 (PVD) 涂上 TaN;然后在进行机械加工之前,该阻隔涂层铜通过 PVD 涂覆更多铜,并填充电解涂层铜。
它还应用于薄膜电阻器。与镍铬合金电阻器相比,它具有形成抗湿性钝化氧化膜的优点。