氮化铝 (AlN)-溅射靶

特征

氮化铝 (AlN) 是铝的固体氮化物。它具有高达 285 W/(m·K) 的高导热率，并且是一种电绝缘体。其纤锌矿相 (w-AlN) 在室温下具有~6 eV 的带隙，在深紫外频率下的光电子学中具有潜在应用。

化学式：AlN

摩尔质量：40.989 g/mol

外观：白色至淡黄色固体

密度：3.255 g/cm³

熔点：2,500 °C (4,530 °F; 2,770 K)

水中溶解度：水解（粉末），不溶（单晶）

溶解性 不溶，在碱和酸的水溶液中水解

带隙：6.015 eV

电子迁移率：~300 cm²/(V·s)

导热系数：285 W/(m·K)

折射率 (nD)：2.1–2.2 (晶体) 1.8-1.9 (非晶态)

晶体结构：纤锌矿

应用

由于 AlN 的压电特性，外延生长的薄膜结晶氮化铝用于沉积在硅晶片上的表面声波传感器 (SAW)。一种应用是广泛用于移动电话中的射频滤波器，它被称为薄膜体声波谐振器 (FBAR)。这是一种使用夹在两个金属层之间的氮化铝的 MEMS 器件。

氮化铝还用于构建压电微机械超声换能器，该换能器发射和接收超声波，可用于长达一米的空中测距。

金属化方法可以使 AlN 用于类似于氧化铝和氧化铍的电子应用。AlN 纳米管作为无机准一维纳米管，与碳纳米管等电子，已被建议作为有毒气体的化学传感器。

目前有很多研究使用氮化镓基半导体开发在紫外线下工作的发光二极管，并且使用合金氮化铝镓，已经实现了短至 250 nm 的波长。2006 年，报道了 210 nm 处的低效 AlN LED 发射。