氮化镓 (GaN)-晶圆

特征

氮化镓 (GaN) 是自 1990 年代以来常用于发光二极管的二元 III/V 直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其 3.4 eV 的宽带隙为其在光电、[8][9] 高功率和高频设备中的应用提供了特殊的[需要澄清] 特性。

化学式：GaN

摩尔质量：83.730 g/mol

外观：黄色粉末

密度：6.1 g/cm³

熔点：\"1600℃

水中溶解度：不溶

带隙：3.4 eV（300 K，直接）

电子迁移率：1500 cm²/(V·s) (300 K)

导热系数：1.3 W/(cm·K) (300 K)

折射率（nD）：2.429

晶体结构：纤锌矿

应用

它对电离辐射的敏感性很低（与其他 III 族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。军事和太空应用也可能受益，因为设备在辐射环境中表现出稳定性。

由于与砷化镓 (GaAs) 晶体管相比，GaN 晶体管可以在更高的温度下工作并在更高的电压下工作，因此它们是理想的微波频率功率放大器。此外，GaN 为太赫兹器件提供了有希望的特性。