氮化镓 (GaN)-颗粒

特征

氮化镓（GaN）是自20世纪90年代以来常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是具有紫零晶体结构的非常硬的材料。它的宽带隙为3.4eV提供了特别的[澄清所需]属性，用于光电，[8] [9]大功率和高频器件中的应用。      

化学配方：GAN

摩尔质量：83.730克/摩尔

外观：黄色粉末

密度：6.1克/厘米³

熔点：> 1600°C

水中的溶解度：不溶性

带隙：3.4eV（300 k，直接）

电子迁移率：1500厘米²/（v·s）（300 k）

导热率：1.3W /（CM·K）（300 k）

折射率（ND）：2.429

晶体结构：卧零

应用

其对电离辐射的敏感性是低（与其他III族氮化物），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。军用和空间应用也可能受益，因为设备在辐射环境中显示出稳定性。

因为GaN晶体管可以在更高的温度下运行，并且比砷化镓（GaAs）晶体管更高的电压工作，所以它们在微波频率下制作理想的功率放大器。此外，GaN还为THz设备提供了有希望的特性。