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锗锑碲 (Ge2Sb2Te5) 的 MSDS

浏览数量： 8     作者： 本站编辑     发布时间： 2021-09-22      来源： 本站

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GeSbTe(锗锑碲或GST)是一种相变材料，来自硫系玻璃，用于可重写光盘和相变存储应用。它的再结晶时间是20纳秒，允许高达35 Mbit/s的比特率被写入和直接覆盖能力高达106个周期。它适合于陆槽记录格式。它常用于可改写DVD。使用n掺杂GeSbTe半导体可以实现新的相变存储器。合金的熔点约为600℃(900 K)，结晶温度在100 ~ 150℃之间。

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