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产品明细

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氧化铪 (HfO2)-溅射靶

  • 12055-23-1
  • HfO2
  • 720800ST
  • 99.95%-99.99%
  • 6 英寸直径 x 0.25 英寸等
  • 235-013-2
状态:

特征

氧化铪 (IV) 是一种无机化合物,分子式为 HfO2.这种无色固体也称为铪,是最常见和最稳定的铪化合物之一。它是一种带隙为 5.3~5.7 eV 的电绝缘体。二氧化铪是某些生产铪金属的过程中的中间体。


化学式:HfO2

摩尔质量:210.49 g/mol

外观:类白色粉末

密度:9.68 g/cm3, 坚硬的

熔点:2,758 °C (4,996 °F; 3,031 K)

沸点:5,400 °C (9,750 °F; 5,670 K)

水中溶解度:不溶

磁化率(χ):-23.0·10−6厘米3/摩尔


应用

Hafnia 用于光学涂层,并作为 DRAM 电容器和高级金属氧化物半导体器件中的高 κ 电介质。


近年来,氧化铪(以及掺杂和缺氧的氧化铪)作为电阻开关存储器和 CMOS 兼容的铁电场效应晶体管(FeFET 存储器)和存储芯片的可能候选材料引起了额外的兴趣。


由于其非常高的熔点,铪也被用作热电偶等设备的绝缘材料中的耐火材料,它可以在高达 2500 °C 的温度下工作。


二氧化铪、二氧化硅和其他材料的多层薄膜已被开发用于建筑物的被动冷却。这些薄膜反射太阳光并以穿过地球大气层的波长辐射热量,并且在相同条件下可以比周围材料的温度低几度。


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