氧化铪 (HfO2)-溅射靶

特征

氧化铪 (IV) 是一种无机化合物，分子式为 HfO₂.这种无色固体也称为铪，是最常见和最稳定的铪化合物之一。它是一种带隙为 5.3~5.7 eV 的电绝缘体。二氧化铪是某些生产铪金属的过程中的中间体。

化学式：HfO₂

摩尔质量：210.49 g/mol

外观：类白色粉末

密度：9.68 g/cm³， 坚硬的

熔点：2,758 °C (4,996 °F; 3,031 K)

沸点：5,400 °C (9,750 °F; 5,670 K)

水中溶解度：不溶

磁化率（χ）：-23.0·10⁻⁶厘米³/摩尔

应用

Hafnia 用于光学涂层，并作为 DRAM 电容器和高级金属氧化物半导体器件中的高 κ 电介质。

近年来，氧化铪（以及掺杂和缺氧的氧化铪）作为电阻开关存储器和 CMOS 兼容的铁电场效应晶体管（FeFET 存储器）和存储芯片的可能候选材料引起了额外的兴趣。

由于其非常高的熔点，铪也被用作热电偶等设备的绝缘材料中的耐火材料，它可以在高达 2500 °C 的温度下工作。

二氧化铪、二氧化硅和其他材料的多层薄膜已被开发用于建筑物的被动冷却。这些薄膜反射太阳光并以穿过地球大气层的波长辐射热量，并且在相同条件下可以比周围材料的温度低几度。