单晶硅有晶体和非晶两种同形形态。晶硅又分为单晶硅和多晶硅，它们都有金刚石晶格。这种晶体硬而脆，有金属光泽，导电，但导电性不如金属，并随温度升高而增强，具有半导体特性。单晶硅是现代科学技术中不可缺少的基础材料，如日常生活中的电子计算机和自动控制系统。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车都离不开单晶硅材料。单晶硅作为一种流行的技术应用材料，已经渗透到人们生活的各个角落。多晶硅是单质硅的一种形式。当熔融的单质硅在过冷条件下固化时，硅原子以金刚石晶格形式排列成多个晶核。当晶核长成不同取向的晶粒时，晶粒结合并结晶为多晶硅。多晶硅可以作为拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的区别主要表现在物理性能上。 更多 »

近日，有专家在中国电子铜箔行业年会上表示，从2020年下半年开始，铜箔市场持续火爆，产品供不应求，铜箔企业纷纷扩大了产能产量。2020年，我国电解铜箔的总产能达到60.5万吨，同比增加7.1万吨，约13.4%，其中电子电路铜箔产能37.6万吨，锂电铜箔产能22.9万吨。2020年，我国电解铜箔总产量为48.8万吨，同比增加5.8万吨，约13.5%，其中电子电路铜箔产量33.5万吨，同比增长14.8%，锂电铜箔产量15.3万吨，同比增长10.8%。 目前，电解铜箔市场供不应求，企业基本处于满负荷生产状态，头部企业年内订单基本排满。需求大幅增长驱动的供应紧张，刺激了铜箔加工费飞速上涨。 更多 »

铋(III)氧化物是铋的重要化合物，铋氧化物有两种晶体结构:α型和β型。与氧化铋相比，氧化铋在高温下更稳定，在电子材料、热敏电阻、玻璃着色、压敏电阻、避雷器、CRT、防火纸、核反应堆燃料、电子等方面有更广泛的应用。 由于铋氧化物是一种离子导体，氧原子可以轻易地穿过它，所以人们对它作为固体氧化物燃料电池(sofc)的材料很感兴趣。纯氧化铋，Bi2O3有四个晶体形态。在室温下，它具有单斜晶结构，称为α- Bi2O3。当加热到727°C以上时，转变为立方萤石型晶体结构δ-Bi2O3，该结构保持到熔点824°C。 更多 »

超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。 更多 »

氧化铟锡(ITO)作为透明导电材料已广泛应用于各种显示器件。然而这种材料有一些问题，如导电性和柔韧性。当面板尺寸变大时，需要高导电性来提高响应率。弯曲或折叠时需要灵活性。由于这些原因，很多人都在努力开发ITO的替代品。ITO/Ag/ITO多层结构是ITO的替代品之一，它具有高透光率和低电阻。此外，由于银的延展性，还有望提高其柔韧性。ITO/Ag/ITO结构面临的最大挑战之一是超薄Ag薄膜的不稳定性，即Ag的团聚降解。理论上，当Ag薄膜变薄时，由于薄膜吸收降低，薄膜透过率变高。实际上，当银膜厚度小于一定厚度时，银膜就会发生不连续(即Ag岛聚集)。 更多 »

AZO溅射靶，即掺铝氧化锌靶，含有Al、Zn、O等元素。 纯度:99%，99.9%，99.99% 圆形:直径<= 14英寸，厚度>= 1毫米; 块:长度<= 32英寸，宽度<= 12英寸，厚度>= 1毫米。 高纯度AZO溅射靶有各种形式、纯度、尺寸和价格。我们专业生产高纯度薄膜涂层材料，具有最高的密度和最小的平均晶粒尺寸 AZO溅射靶应用 AZO溅射靶用于薄膜沉积，通常用于燃料电池、装饰、半导体、显示、LED和光伏器件、玻璃镀膜等。由于铟短缺和价格上涨的问题，研究了铝掺杂氧化锌替代ITO，如在太阳能电池中。 更多 »

铟是一种白色金属，极其柔软，极具延展性和延展性。 冷可焊性好，可与其它金属摩擦附着，液体铟流动性极佳。 金属铟在常温下不被空气氧化，铟在100℃左右开始被氧化，(在800℃以上的温度)铟燃烧形成氧化铟，它有蓝红色的火焰。 铟对人体的危害不明显，但其可溶性化合物有毒。 1. 分子式: In 2. 分子量:114.82 3. 化学文摘登记号 : 7440-74-6 4. 应用1).应用于平板显示涂料、信息材料、高温超导材料、集成电路专用焊料、高性能合金、国防、医药、高纯试剂等诸多高科技领域。 2).主要用于制造轴承和提取高纯铟，也用于电子工业和电镀工业; 更多 »

在AZ91D镁合金工件表面等离子喷涂97% Al2O3+3%TiO2纳米陶瓷层，陶瓷粒度150nm和120nm,涂层厚度50μm～100μm，采用PQ77A型喷枪喷涂，热效率ηQ约65%。喷涂前试样表面预热至100℃，喷涂距离60mm～80mm，等离子火焰流轴线与工件表面呈45°～60°角，送粉气N2流量0.5m3/h，送粉率1kg/h～1.5 kg/h。涂好后进行硬度测试、对涂层面作SEM（扫描电镜）和XRD （X射线衍射）分析、涂层和基体结合强度及抗蚀性试验等。显微组织分析纳米陶瓷粉粒分布相当均匀，但仍有团聚粒子。粉末的97%由α-Al2O3和3%的类金红石型TiO2组成。 更多 »

硅料价格迎全年首次下跌;光伏需求将迎来向上拐点1) 自年初以来，硅料价格首次出现下降。据硅业分会报道，多晶硅价格开始下降。相比上周报价，本周单晶复投料成交均价21.42万元/吨，环比下降1.38%;单晶致密料成交均价21.10万元/吨，环比下降1.12%;单晶菜花料成交均价208.2元/kg，环比下降1%。 2) 自2020年12月以来，硅料价格上涨超150%，压制行业终端需求。近期CPIA发文呼吁光伏行业健康发展，硅料价格涨速明显放缓，近期甚至开始下降。预计未来硅料价格将形成拐点向下，进入良性区间，光伏行业需求有望迎来向上拐点。 更多 »

近日，《自然—光子学》在线发表了武汉大学与香港理工大学以及加州大学洛杉矶分校关于钙钛矿电池的合作研究成果——多功能钝化实现稳定、低开路电压损失的钙钛矿太阳能电池。该研究方法有望拓展到倒置、介观结构甚至叠层钙钛矿光伏器件中，有助于实现稳定、低开路电压损失的钙钛矿单节或多节太阳能电池，并为推进钙钛矿电池的发展提供新思路。据悉，有机—无机杂化钙钛矿具有优异的光电性能，钙钛矿太阳能电池的认证光电转换效率已经超过25%，有望超过单晶硅太阳能电池的效率(26.7%)，进一步提高钙钛矿电池的效率和稳定性，也有助于加速钙钛矿太阳能电池的商业化进程。 更多 »

溅射是一种成熟的技术，能够将各种各样的材料沉积到不同形状和尺寸的衬底上。该工艺是可重复的，可以从小型研发项目扩大规模，生产批次涉及中到大的基材区域。溅射气体通常是惰性气体，如氩气。为了有效的动量传递，射弹质量必须与目标质量匹配，因此，用于溅射的轻元素氖和重元素氪或氙也被使用。活性气体用于溅射化合物。根据工艺参数的不同，化学反应可以发生在目标表面、飞行中或基材上。许多参数使溅射沉积成为一个复杂的过程，但允许专家在很大程度上控制薄膜的生长和微观结构。今天许多常用的产品都有通过溅射靶产生的涂层。 更多 »

Bi2O3被用于固体氧化物燃料电池(SOFCs)以及制造光学材料的原材料。人们的兴趣集中在δ- Bi2O3上，因为它主要是一种离子导体。在考虑固体电解质的可能应用时，除了电性能外，热膨胀性能也是非常重要的。高的热膨胀系数代表在加热和冷却下的大尺寸变化，这将限制电解质的性能。高温δ- Bi2O3向中间β- Bi2O3的转变伴随着较大的体积变化，从而导致材料力学性能的恶化。再加上δ-相的稳定范围很窄(727-824℃)，导致了对其室温稳定性的研究。Bi2O3很容易与许多其他金属氧化物形成固溶体。这些掺杂体系表现出复杂的结构和性能，依赖于掺杂类型、掺杂浓度和样品的热历史。 更多 »

1). 半导体尽管其他导体被用于更特殊的应用，但由于硅在高温和室温下的极端流动性，它是最好的和使用最多的半导体。硅之所以成为电子设备中一个出色的选择，是因为它的电流通过硅导体的速度比其他导体快得多。2). 电子设备中的硅片像硅片这样的半导体可以用于生产电子产品中的芯片和微芯片。由于通过硅晶片的电流的独特性，这些半导体被用于制造ic(集成电路)。ic在各种电子设备中充当特定动作的命令。硅片是集成电路的主要元件。简单地说，集成电路是多种电子元件的合成物，它们被放在一起执行特定的功能。硅是半导体器件的关键平台。 更多 »

据Mining.com网站报道，芬兰豪塔兰皮（Hautalampi）钴镍铜矿项目矿石资源量增长了100%，矿山许可证区域的金属量增长了50%。豪塔兰皮位于芬兰东部的奥托昆普镇附近，属于芬兰私企芬兰钴业（FinnCobalt）所有。FinnCobalt已经同瑞典欧洲电池矿产公司（Eurobattery Minerals AB）签署入资协议。作为协议的一部分，后者已经同意资助该项目开发，随后将获权购买所有FinnCobalt公司的股份。 “我们非常满意豪塔兰皮项目符合JORC标准的资源量估算结果”，欧洲电池矿产公司首席执行官罗伯特·加西亚（Roberto García）在媒体发布会上表示。 更多 »

据MiningWeekly援引路透社报道，日本最大的镍冶炼商住有金属矿业公司（Sumitomo Metal Mining）周二预测，今年全球电池用镍量将较2020年增长18%。住友金属为特斯拉电动车装配的松下锂电池提供电解镍，该公司称，可充电电池镍需求量将从2020年的19.3万吨增至2021年的22.8万吨。 镍主要用于生产不锈钢，但也作为电动汽车动力锂电池的非常重要的材料，未来需求量将加速上升。 “尽管遭遇Covid-19疫情，但电动汽车销售量增长迅速，特别在中国”，住友金属镍销售商和原材料部总经理丹羽雄介（Yusuke Niwa）表示。 更多 »