铝溅射靶:性能、用途和优势

铝靶材是用于真空镀膜行业溅射靶材中的一种，是高纯铝经过系列加工后的产品，具有特定的尺寸和形状高纯铝材料，安装在真空镀膜机上，溅射成膜。

铝靶材的分类

铝靶材有平面铝靶材和旋转铝靶材之分：

平面铝靶材是片状的，有圆形、方形等。

旋转铝靶材是管状的，利用效率高，但不易加工，要通过高纯铝挤压、拉伸、校直热处理，机加工等多种加工工序才能最终制得铝旋转靶材成品。

铝靶材的生产方法

1、铝的生产和提纯：

铝是从铝土矿中提取Al2O3，再在熔融冰晶石中电解而得到的，纯度一般在99%以上，但这样纯度的铝根本无法作为生产铝靶材的原材料，铝靶材对铝材的第一个要求也是最重要的要求就是纯度要高，铝靶材所用的高纯铝是再经过偏析法、三层电解法或联合区域熔炼法生产而成的，价格要比工业纯铝99.7贵很多，国内最高纯度在99.9999%（6N）左右。

2、铝靶材的变形处理：

有了高纯度铝锭作为原材料，对原材料进行锻造、轧制、热处理等，使铝锭内晶粒变细小、致密度增加以满足溅射所需铝靶材的要求。

3、对变形处理后的高纯度铝材料进行机械加工，铝靶材加工要求精度高、表面质量高，加工成真空镀膜机所需的靶材尺寸就可以了，铝靶材与镀膜机多以螺纹相连接。

铝靶材的用途

适用于直流二极溅射、三极溅射、四级溅射、射频溅射、对向靶溅射、离子束溅射、磁控溅射等，可镀制反光膜、导电膜、半导体薄膜、电容器薄膜、装饰膜、保护膜、集成电路、显示器等，相对其它靶材，铝靶材的价格较低，所以铝靶材是在能满足膜层的功能前提下的首选靶材料。

高纯铝管溅射靶材的优势

PVD用溅射靶材是半导体芯片生产及制备加工过程中最重要的原材料之一，溅射靶材中用量最大的是高纯铝和超高纯净铝合金靶材。纯度高达99.999％的高纯铝因导电性佳、讯号传输速度快，因此被制成靶材，透过真空溅射制作成lcd中薄膜晶体管的薄膜导线，扮演传输讯号的角色。

根据溅射工艺原理，靶材的晶粒越细小，成分组织越均匀，取向越集中，靶材的表面粗糙度越小，通过物理气相沉积的方法在硅片上形成的薄膜质量越好，因此靶材需要细晶组织，要求晶粒平均尺寸小于150μm。

因高纯铝原始晶粒粗大，多达1500～3000μm，所以，通过在后续挤压变形过程中使晶粒度变小至150μm以内，实现难度非常大，稍有偏差，就达不到要求。为此，为了使高纯铝晶粒度达到150μm以内，前期必须通过一定方法，缩小原始高纯铝晶粒度至1000μm以内，这样，才能保证后续挤压成管时，晶粒度达到要求。