砷化镓(GaAs)是由镓和砷元素组成的化合物。它通常被称为III-V化合物，因为镓和砷分别位于元素周期表的III族和V族。 砷化镓的使用并不是一项新技术。事实上，DARPA从20世纪70年代就开始资助这项技术的研究。虽然以硅为基础的技术一直是“微电子革命的骨干物质，但砷化镓电路在更高的频率和信号放大功率下工作，使一个由手掌大小的手机连接的世界成为现实。”20世纪80年代，砷化镓导致GPS接收机小型化。这使得在那个时期进入美国军火库的激光制导精确弹药成为可能。 比较GaAs、Si、SiC和GaN的带隙由于具有高电子迁移率，用砷化镓制造的半导体器件可以在数百GHz的频率下工作。虽然不被认为是真正的

铜铟镓(二)硒化物(CIGS)是一种由铜、铟、镓和硒组成的I-III-VI2半导体材料。该材料是铜硒化铟(通常缩写为CIS)和铜硒化镓的固溶体。它的化学式为CuIn(1-x)Ga(x)Se2，其中x的值可以从0(纯铜硒化铟)到1(纯铜硒化镓)。CIGS是一种四面体键合半导体，具有黄铜矿晶体结构，带隙随x的变化而不断变化，从1.0 eV(硒化铜铟)到1.7 eV(硒化铜镓)。 铜铟镓硒化太阳能电池以铜铟镓硒(CIGS)为基材的太阳能电池在太阳能发电领域受到世界各国的广泛关注。它们是高效的薄膜太阳能电池，效率达到22.8%，可与晶硅(c-Si)晶片太阳能电池相媲美。对于1000 MW y−1的产能