特征
砷化铝或铝砷(Alas)是一种半导体材料,具有与砷化镓和铝砷化铝和砷化铝的铝镓恒定的半导体材料,而不是砷化镓。
化学公式:唉
摩尔质量:101.9031 g / mol
外观:橙色晶体
密度:3.72克/厘米3
熔点:1,740°C(3,160°F; 2,010 k)
水中的溶解度:反应
溶解度:在乙醇中反应
带隙:2.12 EV(间接)
电子迁移率:200cm2 /(v·s)(300 k)
导热系数:0.9 w /(cm·k)(300 k)
折射率(ND):3(红外线)
应用
铝砷化铝是III-V复合半导体材料,是用于制造光电器件的有利材料,例如发光二极管。
可以使用众所周知的方法,例如液体和气相外延技术或熔融生长技术来制备铝酰胺。然而,通过这些方法制备的铝砷化物晶体通常是不稳定的并且产生砷(灰烬3)当暴露于潮湿的空气时。
可以使用众所周知的方法,例如液体和气相外延技术或熔融生长技术来制备铝酰胺。然而,通过这些方法制备的铝砷化物晶体通常是不稳定的并且产生砷(灰烬3)当暴露于潮湿的空气时。
特征
砷化铝或铝砷(Alas)是一种半导体材料,具有与砷化镓和铝砷化铝和砷化铝的铝镓恒定的半导体材料,而不是砷化镓。
化学公式:唉
摩尔质量:101.9031 g / mol
外观:橙色晶体
密度:3.72克/厘米3
熔点:1,740°C(3,160°F; 2,010 k)
水中的溶解度:反应
溶解度:在乙醇中反应
带隙:2.12 EV(间接)
电子迁移率:200cm2 /(v·s)(300 k)
导热系数:0.9 w /(cm·k)(300 k)
折射率(ND):3(红外线)
应用
铝砷化铝是III-V复合半导体材料,是用于制造光电器件的有利材料,例如发光二极管。
可以使用众所周知的方法,例如液体和气相外延技术或熔融生长技术来制备铝酰胺。然而,通过这些方法制备的铝砷化物晶体通常是不稳定的并且产生砷(灰烬3)当暴露于潮湿的空气时。
可以使用众所周知的方法,例如液体和气相外延技术或熔融生长技术来制备铝酰胺。然而,通过这些方法制备的铝砷化物晶体通常是不稳定的并且产生砷(灰烬3)当暴露于潮湿的空气时。