碲化锡(SnTe)-溅射靶

特征

碲化锡是锡和碲 (SnTe) 的化合物；是 IV-VI 窄带隙半导体，直接带隙为 0.18 eV。它常与铅合金制成碲化铅锡，用作红外探测器材料。

化学式：SnTe

摩尔质量：246.31 g/mol

外观：灰色立方晶体

密度：6.445 g/cm³

熔点：790 °C (1,450 °F; 1,060 K)

带隙：0.18 eV

电子迁移率：500 cm²V⁻¹ s⁻¹

晶体结构：岩盐（立方），cF8

应用

通常，Pb 与 SnTe 合金化以获得有趣的光学和电子特性。此外，由于量子限制，SnTe 的带隙增加超过体带隙，覆盖中红外波长范围。该合金材料已用于中红外光电探测器和热电发生器。