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12040-02-7
SnTe
505200GN
99.99%-99.999%
3 毫米 - 12 毫米/3 毫米 - 6 毫米
234-914-8
6.1级
UN3288
PG III
特征
碲化锡是锡和碲 (SnTe) 的化合物；是 IV-VI 窄带隙半导体，直接带隙为 0.18 eV。它常与铅合金制成碲化铅锡，用作红外探测器材料。
化学式：SnTe
摩尔质量：246.31 g/mol
外观：灰色立方晶体
密度：6.445 g/cm3
熔点：790 °C (1,450 °F; 1,060 K)
带隙：0.18 eV
电子迁移率：500 cm2V−1 s−1
晶体结构：岩盐（立方），cF8
应用
通常，Pb 与 SnTe 合金化以获得有趣的光学和电子特性。此外，由于量子限制，SnTe 的带隙增加超过体带隙，覆盖中红外波长范围。该合金材料已用于中红外光电探测器和热电发生器。
特征
碲化锡是锡和碲 (SnTe) 的化合物；是 IV-VI 窄带隙半导体，直接带隙为 0.18 eV。它常与铅合金制成碲化铅锡，用作红外探测器材料。
化学式：SnTe
摩尔质量：246.31 g/mol
外观：灰色立方晶体
密度：6.445 g/cm3
熔点：790 °C (1,450 °F; 1,060 K)
带隙：0.18 eV
电子迁移率：500 cm2V−1 s−1
晶体结构：岩盐（立方），cF8
应用
通常，Pb 与 SnTe 合金化以获得有趣的光学和电子特性。此外，由于量子限制，SnTe 的带隙增加超过体带隙，覆盖中红外波长范围。该合金材料已用于中红外光电探测器和热电发生器。
