特征
硒化镓 (II) (GaSe) 是一种化合物。它具有六边形层结构,类似于GaS。它是一种光电导体,非线性光学中的二次谐波产生晶体,已被用作14-31 THz及以上的远红外转换材料。
化学式:GaSe
摩尔质量:148.69 g/mol
外观:棕色固体
密度:5.03 g/cm3
熔点:960 °C (1,760 °F; 1,230 K)
带隙:2.1 eV(间接)
折射率(nD):2.6
晶体结构:六方,hP8
应用
据说它具有光学应用的潜力,但这种潜力的开发受到了容易生长单晶的能力的限制。硒化镓晶体作为非线性光学材料和光电导体显示出巨大的前景。
存在几种使用非线性光学材料的频率转换方法。二次谐波的产生导致红外二氧化碳激光器的频率加倍。
单层硒化镓是动态稳定的二维半导体,其中价带具有倒置的墨西哥帽形状,随着空穴掺杂的增加导致 Lifshitz 跃迁。
特征
硒化镓 (II) (GaSe) 是一种化合物。它具有六边形层结构,类似于GaS。它是一种光电导体,非线性光学中的二次谐波产生晶体,已被用作14-31 THz及以上的远红外转换材料。
化学式:GaSe
摩尔质量:148.69 g/mol
外观:棕色固体
密度:5.03 g/cm3
熔点:960 °C (1,760 °F; 1,230 K)
带隙:2.1 eV(间接)
折射率(nD):2.6
晶体结构:六方,hP8
应用
据说它具有光学应用的潜力,但这种潜力的开发受到了容易生长单晶的能力的限制。硒化镓晶体作为非线性光学材料和光电导体显示出巨大的前景。
存在几种使用非线性光学材料的频率转换方法。二次谐波的产生导致红外二氧化碳激光器的频率加倍。
单层硒化镓是动态稳定的二维半导体,其中价带具有倒置的墨西哥帽形状,随着空穴掺杂的增加导致 Lifshitz 跃迁。