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特征
砷化铟，InAs或单酮铟，是由铟和砷组成的半导体。它具有灰色立方晶体的外观，熔点为942°C。
化学配方：INAS
摩尔质量：189.740克/摩尔
密度：5.67克/厘米3
熔点：942°C（1,728°F; 1,215 k）
带隙：0.354eV（300 k）
电子迁移率：40000厘米2/（v * s）
导热率：0.27W /（cm * k）（300 k）
折射率（ND）：3.51
晶体结构：锌融合
应用
铟砷化铟用于建造红外探测器，用于1-3.8μm的波长范围。探测器通常是光伏光电二极管。低温冷却的探测器具有较低的噪音，但INAS检测器也可以在室温下在更高功率的应用中使用。砷化铟也用于制造二极管激光器。
特征
砷化铟，InAs或单酮铟，是由铟和砷组成的半导体。它具有灰色立方晶体的外观，熔点为942°C。
化学配方：INAS
摩尔质量：189.740克/摩尔
密度：5.67克/厘米3
熔点：942°C（1,728°F; 1,215 k）
带隙：0.354eV（300 k）
电子迁移率：40000厘米2/（v * s）
导热率：0.27W /（cm * k）（300 k）
折射率（ND）：3.51
晶体结构：锌融合
应用
铟砷化铟用于建造红外探测器，用于1-3.8μm的波长范围。探测器通常是光伏光电二极管。低温冷却的探测器具有较低的噪音，但INAS检测器也可以在室温下在更高功率的应用中使用。砷化铟也用于制造二极管激光器。
