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砷化铟 (InAs)-晶圆

  • 1303-11-3

  • InAs

  • 493300WF.

  • <100>

  • 4''/ 6''

  • 215-115-3

  • 第6.1级

  • UN1557.

  • PG III.

状态:

特征


砷化铟,InAs或单酮铟,是由铟和砷组成的半导体。它具有灰色立方晶体的外观,熔点为942°C。


化学配方:INAS

摩尔质量:189.740克/摩尔

密度:5.67克/厘米3

熔点:942°C(1,728°F; 1,215 k)

带隙:0.354eV(300 k)

电子迁移率:40000 cm2 /(v * s)

导热率:0.27W /(cm * k)(300 k)

折射率(ND):3.51

晶体结构:锌融合


应用


铟砷化铟用于建造红外探测器,用于1-3.8μm的波长范围。探测器通常是光伏光电二极管。低温冷却的探测器具有较低的噪音,但INAS检测器也可以在室温下在更高功率的应用中使用。砷化铟也用于制造二极管激光器。


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