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25617-98-5
旅店
490700LP
99.9%
10 毫米直径 X 10 毫米 th。
247-130-6
特性
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料，其吸引力在于其出色的电子传输性能和窄的能带，有望用于制造新型高频太赫兹光电器件。
氮化铟（InN）是一种氮化物半导体材料，在室温和常压下稳定的相为六方纤锌矿结构，是一种直接的带隙半导体材料。
化学式：InN
摩尔质量：128.83 g / mol
外观：黑色粉末
密度：6.81 g / cm3
熔点：1,100°C（2,010°F; 1,370 K）
水中溶解度：水解
带隙：0.65 eV（300 K）
电子迁移率：3200 cm2 /（V.s）（300 K）
导热系数：45 W /（m.K）（300 K）
折光率（nD）：2.9
晶体结构：纤锌矿（六方晶）
应用
当前，正在研究使用氮化物基半导体开发太阳能电池。使用一种或多种氮化铟镓（InGaN）合金，可以实现与太阳光谱的光学匹配。 InN的带隙允许利用长达1900nm的波长。但是，如果要使此类太阳能电池成为商业现实，则有许多困难需要克服：InN和富铟InGaN的p型掺杂是最大的挑战之一。事实证明，InN与其他氮化物（GaN，AlN）的异质外延生长是困难的。
特性
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料，其吸引力在于其出色的电子传输性能和窄的能带，有望用于制造新型高频太赫兹光电器件。
氮化铟（InN）是一种氮化物半导体材料，在室温和常压下稳定的相为六方纤锌矿结构，是一种直接的带隙半导体材料。
化学式：InN
摩尔质量：128.83 g / mol
外观：黑色粉末
密度：6.81 g / cm3
熔点：1,100°C（2,010°F; 1,370 K）
水中溶解度：水解
带隙：0.65 eV（300 K）
电子迁移率：3200 cm2 /（V.s）（300 K）
导热系数：45 W /（m.K）（300 K）
折光率（nD）：2.9
晶体结构：纤锌矿（六方晶）
应用
当前，正在研究使用氮化物基半导体开发太阳能电池。使用一种或多种氮化铟镓（InGaN）合金，可以实现与太阳光谱的光学匹配。 InN的带隙允许利用长达1900nm的波长。但是，如果要使此类太阳能电池成为商业现实，则有许多困难需要克服：InN和富铟InGaN的p型掺杂是最大的挑战之一。事实证明，InN与其他氮化物（GaN，AlN）的异质外延生长是困难的。
