特征
氧化铟(III) (In2O3) 是一种化合物,是铟的两性氧化物。它是一种具有宽带隙宽度、小电阻率和高催化活性的新型n型透明半导体功能材料,已广泛应用于光电领域、气体传感器和催化剂。粒径还具有纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧穿效应。
化学式:In2O3
摩尔质量:277.64 g/mol
外观:黄绿色无臭结晶
密度:7.179 g/cm3
熔点:1,910 °C (3,470 °F; 2,180 K)
水中溶解度:不溶
带隙:~3 eV (300 K)
磁化率(χ):-56.0·10−6厘米3/摩尔
应用
氧化铟用于某些类型的电池、对可见光透明的薄膜红外反射器(热镜)、一些光学涂层和一些抗静电涂层。氧化铟与二氧化锡结合形成氧化铟锡(也称为掺锡氧化铟或 ITO),一种用于透明导电涂层的材料。
在半导体中,氧化铟可用作 n 型半导体,用作集成电路中的电阻元件。
在组织学中,氧化铟被用作一些染色配方的一部分。
特征
氧化铟(III) (In2O3) 是一种化合物,是铟的两性氧化物。它是一种具有宽带隙宽度、小电阻率和高催化活性的新型n型透明半导体功能材料,已广泛应用于光电领域、气体传感器和催化剂。粒径还具有纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧穿效应。
化学式:In2O3
摩尔质量:277.64 g/mol
外观:黄绿色无臭结晶
密度:7.179 g/cm3
熔点:1,910 °C (3,470 °F; 2,180 K)
水中溶解度:不溶
带隙:~3 eV (300 K)
磁化率(χ):-56.0·10−6厘米3/摩尔
应用
氧化铟用于某些类型的电池、对可见光透明的薄膜红外反射器(热镜)、一些光学涂层和一些抗静电涂层。氧化铟与二氧化锡结合形成氧化铟锡(也称为掺锡氧化铟或 ITO),一种用于透明导电涂层的材料。
在半导体中,氧化铟可用作 n 型半导体,用作集成电路中的电阻元件。
在组织学中,氧化铟被用作一些染色配方的一部分。