砷化镓 (GaAs)-晶圆

特征

砷化镓 (GaAs) 是镓和砷元素的化合物。它是一种具有闪锌矿晶体结构的 III-V 族直接带隙半导体。

化学式：GaAs

摩尔质量：144.645 g/mol

外观：灰色结晶

气味：湿润后有大蒜味

密度：5.3176 g/cm³

熔点：1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)

水中溶解度：不溶

溶解性：溶于盐酸

不溶于乙醇、甲醇、丙酮

带隙：1.441 eV (at 300 K)

电子迁移率：9000 cm2/(V·s) (at 300 K)

磁化率（χ）：-16.2×10⁻⁶CGs

导热系数：0.56 W/(cm·K) (at 300 K)

折射率（nD）：3.3

晶体结构：闪锌矿

应用

砷化镓用于制造微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管、太阳能电池和光学窗口等器件。

GaAs 常被用作外延生长其他 III-V 族半导体的衬底材料，包括砷化铟镓、砷化铝镓等。