特性
氧化铪是通式为HfO2的无机化合物。也称为二氧化铪,这种无色固体是最常见和稳定的化合物之一。它是一种带隙为5.3〜5.7 eV的电绝缘体。
化学式:HfO2
摩尔质量:210.49 g / mol
外观:类白色粉末
密度:9.68 g / cm3,固体
熔点:2,758°C(4,996°F; 3,031 K)
沸点:5,400°C(9,750°F; 5,670 K)
水中溶解度:不溶
磁化率(χ):− 23.0·10-6厘米3/摩尔
应用
氧化铪用于光学涂层,并用作DRAM电容器和高级金属氧化物半导体器件中的高κ电介质。
近年来,氧化铪(以及掺杂和缺氧的氧化铪)作为电阻开关存储器以及与CMOS兼容的铁电场效应晶体管(FeFET存储器)和存储芯片的可能候选者,引起了更多兴趣。
已经开发出二氧化铪,二氧化硅和其他材料的多层膜用于建筑物的被动冷却。这些薄膜反射太阳光并以穿过地球大气层的波长辐射热量,并且在相同条件下,其温度可能比周围材料低几度。
已经开发出二氧化ha,二氧化硅和其他材料的多层膜用于建筑物的被动冷却。这些薄膜反射太阳光并以穿过地球大气层的波长辐射热量,并且在相同条件下,其温度可能比周围材料低几度。
特性
氧化铪是通式为HfO2的无机化合物。也称为二氧化铪,这种无色固体是最常见和稳定的化合物之一。它是一种带隙为5.3〜5.7 eV的电绝缘体。
化学式:HfO2
摩尔质量:210.49 g / mol
外观:类白色粉末
密度:9.68 g / cm3,固体
熔点:2,758°C(4,996°F; 3,031 K)
沸点:5,400°C(9,750°F; 5,670 K)
水中溶解度:不溶
磁化率(χ):− 23.0·10-6厘米3/摩尔
应用
氧化铪用于光学涂层,并用作DRAM电容器和高级金属氧化物半导体器件中的高κ电介质。
近年来,氧化铪(以及掺杂和缺氧的氧化铪)作为电阻开关存储器以及与CMOS兼容的铁电场效应晶体管(FeFET存储器)和存储芯片的可能候选者,引起了更多兴趣。
已经开发出二氧化铪,二氧化硅和其他材料的多层膜用于建筑物的被动冷却。这些薄膜反射太阳光并以穿过地球大气层的波长辐射热量,并且在相同条件下,其温度可能比周围材料低几度。
已经开发出二氧化ha,二氧化硅和其他材料的多层膜用于建筑物的被动冷却。这些薄膜反射太阳光并以穿过地球大气层的波长辐射热量,并且在相同条件下,其温度可能比周围材料低几度。