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特征
硅化钨 (WSi)2) 是一种无机化合物，钨的硅化物。它是一种导电陶瓷材料。
化学式：WSi2
摩尔质量：240.011 g/mol
外观：蓝灰色四方晶体
密度：9.3 克/厘米3
熔点：2160 °C (3,920 °F；2,430 K)
水中溶解度：不溶
应用
在微电子中用作接触材料，电阻率为60-80 μΩ cm；它在 1000 °C 时形成。它通常用作多晶硅线上的分流器，以增加其导电性并提高信号速度。硅化钨层可以通过化学气相沉积制备，例如使用甲硅烷或二氯硅烷和六氟化钨作为源气体。沉积的薄膜是非化学计量的，需要退火才能转化为更具导电性的化学计量形式。硅化钨是早期钨膜的替代品。硅化钨也用作硅和其他金属（例如钨）之间的阻挡层。
硅化钨在微机电系统中也很有价值，它主要用作制造微型电路的薄膜。为此目的，可以使用例如三氟化氮气体等离子体蚀刻硅化钨膜。
硅2在作为抗氧化涂层的应用中表现良好。特别是，与二硅化钼相似，MoSi2，二硅化钨的高发射率使这种材料对高温辐射冷却具有吸引力，对隔热板有影响。
特征
硅化钨 (WSi)2) 是一种无机化合物，钨的硅化物。它是一种导电陶瓷材料。
化学式：WSi2
摩尔质量：240.011 g/mol
外观：蓝灰色四方晶体
密度：9.3 克/厘米3
熔点：2160 °C (3,920 °F；2,430 K)
水中溶解度：不溶
应用
在微电子中用作接触材料，电阻率为60-80 μΩ cm；它在 1000 °C 时形成。它通常用作多晶硅线上的分流器，以增加其导电性并提高信号速度。硅化钨层可以通过化学气相沉积制备，例如使用甲硅烷或二氯硅烷和六氟化钨作为源气体。沉积的薄膜是非化学计量的，需要退火才能转化为更具导电性的化学计量形式。硅化钨是早期钨膜的替代品。硅化钨也用作硅和其他金属（例如钨）之间的阻挡层。
硅化钨在微机电系统中也很有价值，它主要用作制造微型电路的薄膜。为此目的，可以使用例如三氟化氮气体等离子体蚀刻硅化钨膜。
硅2在作为抗氧化涂层的应用中表现良好。特别是，与二硅化钼相似，MoSi2，二硅化钨的高发射率使这种材料对高温辐射冷却具有吸引力，对隔热板有影响。
