特征
氮化铝(ALN)是铝的固体氮化物。它具有高达285W /(m·k)的高导热率,并且是电绝缘体。其浓度相(W-ALN)在室温下具有〜6eV的带隙,并且在深度紫外频率下运行的光电子潜在应用。
化学公式:ALN
摩尔质量:40.989克/摩尔
外观:白色至浅黄色固体
密度:3.255克/厘米3
熔点:2,500°C(4,530°F; 2,770 k)
水中的溶解度:水解(粉末),不溶性(单晶)
溶解性不溶于碱和酸水溶液中水解的主题
带隙:6.015 EV
电子迁移率:〜300厘米2/(v·s)
导热系数:285 w /(m·k)
折射率(ND):2.1-2.2(晶体) 1.8-1.9(无定形)
晶体结构:卧零
应用
外延生长的薄膜结晶氧化铝用于沉积在硅晶片上的表面声波传感器(锯),因为ALN的压电性能。一个应用是一种RF滤波器,可广泛用于移动电话,]称为薄膜散装声谐振器(FBAR)。这是一种MEMS装置,其使用夹层夹在两个金属层之间的氮化铝。
ALN还用于构建压电微机械的超声换能器,其发射和接收超声波,并且可用于在距离到仪表的距离上的空气范围。
可以使用金属化方法来允许ALN用于类似于氧化铝和氧化铍的电子应用。 AlN纳米管作为无机准一体式纳米管,其是具有碳纳米管的异形碳纳米管,作为有毒气体的化学传感器。
目前,在使用氮化镓基半导体中,在紫外线中,在紫外线中操作的发光二极管有很多研究,并且使用了与氮化铝氮化镓,已经实现了短至250nm的波长。 2006年,报告了210nm处的低效Aln LED发射。
特征
氮化铝(ALN)是铝的固体氮化物。它具有高达285W /(m·k)的高导热率,并且是电绝缘体。其浓度相(W-ALN)在室温下具有〜6eV的带隙,并且在深度紫外频率下运行的光电子潜在应用。
化学公式:ALN
摩尔质量:40.989克/摩尔
外观:白色至浅黄色固体
密度:3.255克/厘米3
熔点:2,500°C(4,530°F; 2,770 k)
水中的溶解度:水解(粉末),不溶性(单晶)
溶解性不溶于碱和酸水溶液中水解的主题
带隙:6.015 EV
电子迁移率:〜300厘米2/(v·s)
导热系数:285 w /(m·k)
折射率(ND):2.1-2.2(晶体) 1.8-1.9(无定形)
晶体结构:卧零
应用
外延生长的薄膜结晶氧化铝用于沉积在硅晶片上的表面声波传感器(锯),因为ALN的压电性能。一个应用是一种RF滤波器,可广泛用于移动电话,]称为薄膜散装声谐振器(FBAR)。这是一种MEMS装置,其使用夹层夹在两个金属层之间的氮化铝。
ALN还用于构建压电微机械的超声换能器,其发射和接收超声波,并且可用于在距离到仪表的距离上的空气范围。
可以使用金属化方法来允许ALN用于类似于氧化铝和氧化铍的电子应用。 AlN纳米管作为无机准一体式纳米管,其是具有碳纳米管的异形碳纳米管,作为有毒气体的化学传感器。
目前,在使用氮化镓基半导体中,在紫外线中,在紫外线中操作的发光二极管有很多研究,并且使用了与氮化铝氮化镓,已经实现了短至250nm的波长。 2006年,报告了210nm处的低效Aln LED发射。