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25617-98-5
InN
490700PD
99.9%
- 100 目
247-130-6
特征
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料，该材料的吸引力在于其优异的电子传输性能和窄能带，有望用于制造新型高频太赫兹光电器件。
氮化铟（InN）是一种氮化物半导体材料，常温常压下的稳定相为六方纤锌矿结构，是一种直接带隙半导体材料。
化学式：InN
摩尔质量：128.83 g/mol
外观：黑色粉末
密度：6.81 g/cm3
熔点：1,100 °C (2,010 °F; 1,370 K)
水中溶解度：水解
带隙：0.65 eV (300 K)
电子迁移率：3200 cm2/(Vs) (300 K)
导热系数：45 W/(mK) (300 K)
折射率（nD）：2.9
晶体结构：纤锌矿（六方）
应用
目前正在研究使用基于氮化物的半导体开发太阳能电池。使用一种或多种氮化铟镓 (InGaN) 合金，可以实现与太阳光谱的光学匹配。InN 的带隙允许使用长达 1900 nm 的波长。然而，如果这种太阳能电池要成为商业现实，还有许多困难需要克服：InN 和富铟 InGaN 的 p 型掺杂是最大的挑战之一。InN 与其他氮化物（GaN、AlN）的异质外延生长已被证明是困难的。
特征
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料，该材料的吸引力在于其优异的电子传输性能和窄能带，有望用于制造新型高频太赫兹光电器件。
氮化铟（InN）是一种氮化物半导体材料，常温常压下的稳定相为六方纤锌矿结构，是一种直接带隙半导体材料。
化学式：InN
摩尔质量：128.83 g/mol
外观：黑色粉末
密度：6.81 g/cm3
熔点：1,100 °C (2,010 °F; 1,370 K)
水中溶解度：水解
带隙：0.65 eV (300 K)
电子迁移率：3200 cm2/(Vs) (300 K)
导热系数：45 W/(mK) (300 K)
折射率（nD）：2.9
晶体结构：纤锌矿（六方）
应用
目前正在研究使用基于氮化物的半导体开发太阳能电池。使用一种或多种氮化铟镓 (InGaN) 合金，可以实现与太阳光谱的光学匹配。InN 的带隙允许使用长达 1900 nm 的波长。然而，如果这种太阳能电池要成为商业现实，还有许多困难需要克服：InN 和富铟 InGaN 的 p 型掺杂是最大的挑战之一。InN 与其他氮化物（GaN、AlN）的异质外延生长已被证明是困难的。
